集微網推出整合電路微信公共號: '天天IC' , 重大新聞即時發布, 天天IC, 天天集微網, 積微成著! 複製 laoyaoic 微信公共號搜索添加關注.
1.蔡力行:聯發科不是7nm首波用戶;
集微網消息, 2017年即將結束, 聯發科昨日舉行年終記者會, 除首度和媒體面對面的蔡力行外, 新接下總經理職務的陳冠州, 財務長顧大為, 負責家庭娛樂事業部的副總遊人傑, 掌管車用產品的副總徐敬全等重要主管均親自出席.
台積電7nm製程明年將量產, 雖然聯發科不在首波客戶名單, 不過, 聯發科共同CEO蔡力行透露, 聯發科現在重要產品都採用12nm製程, 相信7nm將非常有價值, 聯發科在先進位程使用不缺席, 已有3個7nm晶片產品設計中, 但無法評論何時量產.
至於聯發科是否有機會「吃蘋果」, 蔡力行維持一貫說法表示: 「毫無所悉. 」但他強調, 只要是有好的機會都會努力爭取, 對於北美市場亦會持續擴大投資.
博通有意併購高通, 蔡力行表示, 半導體產業已趨穩定, 產業整並是一定會發生的現象, 中性看待, 不會很害怕或高興.
近期智能手機市場出現「大廠旗艦機賣不動」的現象, 聯發科受傷較輕, 歸功於重新調整腳步, 回防中端市場. 陳冠州指出, 今年推出的Helio P系列產品市場反應佳, 主要針對人民幣1,500元到3,000元價格帶, 市場反應很不錯, 明年還會再推兩款P系列晶片.
針對AI趨勢, 陳冠州透露, 聯發科會將AI功能導入手機, 電視和家庭娛樂等各項產品平台, 未來二到三年, 將可以看見AI對產業的影響力.
2.AI革命改寫映像處理晶片版圖 視覺處理器後來居上;
人工智慧 (AI) 成為顯學, 映像處理晶片市場的版圖分布也因而出現重大變動.
據研究機構Yole Développement分析, 在AI 應用的帶動下, 嵌入式影像與視覺相關晶片將分成兩個區塊, 其一是傳統的影像訊號處理器(ISP)市場, 該市場將以 6.3% 複合年增率 (CAGR) 穩定成長, 2017 年整體市場規模為 44 億美元;
其二則是新興的視覺運算處理器, 這類處理器主要負責執行各種影像分析演算法, 因此需要極高的運算效能跟記憶體頻寬, 其市場成長的複合年增率將高達 30.7% , 並將在 2021 年正式超越 ISP , 成為嵌入式影像與視覺晶片市場中最大的區塊. 新電子
3.IDM及晶圓代工廠商將成為先進封裝技術開發先驅;
台積電2016年以16nm製程晶圓代工結合InFO封測服務, 為Apple代工A10處理器; 2017年Apple新一代智能型手機A11處理器, 台積電以10nm製程結合InFO再取得代工生產大單; 2018年則將以7nm製程結合InFO代工生產A12處理器.
市場預期代工結合封測將從智能型手機大舉擴增到人工智慧(AI), 台積電積極提供這項整合性服務, 法人認為對部分封測與載板廠商將造成商機減少的衝擊.
IDM及晶圓代工廠商將成為先進封裝技術開發先驅者
儘管廠商無法再以相同步調延續摩爾定律, 但晶片, 系統和軟體技術仍將持續進展, 廠商逐漸走向以開發先進封裝技術來延續摩爾定律的步調, 從台積電率先開發InFO技術被Apple採用後, 不難發現封測代工廠商在先進封測領域成了追隨者角色, 主要原因在於先進封裝技術製程偏向更高精度的半導體製程, 此領域為IDM及晶圓代工廠商的強項.
此外, 這些廠商相對封測廠而言較能承擔先進封裝所需的資本資出, 理論上開發進度會比專業封測代工廠商快, 因此未來在先進封裝技術領域IDM及晶圓代工廠商將會是開發先驅者角色.
封測廠商將受益於Apple採用台積電InFO廣告效應
雖然台積電推出InFO使得封測廠商失去原先客戶本來會下在封測代工廠商的訂單, 然InFO及WLCSP等晶圓級封測技術的種種優勢, 使得行動裝載尺寸更加輕薄, 並且在如此有限空間內提供更多I/O數及優異的散熱效果, 使處理器能發揮其最佳效能.
在Apple採用後市場反應良好, 對客戶及市場來說將形成廣告效應, 提升其他客戶採用意願, 成為封測廠商的商機, 加上台積電封測業務目前僅服務少數在台積電下單的晶圓代工客戶, 封測廠商仍有其他目標客戶能經營發展, 例如2016年Qualcomm和海思, 以及2017年Infineon向日月光下單Fan-Out, 即是受益於廣告效應的最佳例證. 拓墣產業研究院
4.研究人員打造形變分子存儲器
美國加州大學柏克萊分校與國家實驗室的研究人員正著手打造一種分子大小的形變記憶體技術, 它只需要幾個原子, 就可以將0與1當做形狀進行儲存, 而且能搭配未來的原子級處理器…
隨著互補式金屬氧化物半導體(CMOS)接近原子級, 一種分子大小的形變(shape-changing)記憶體技術正日趨完善, 從而可逆地改變二碲化鉬(MoTe2)的晶格結構.
根據美國加州大學柏克萊分校(UC Berkeley)教授兼羅倫斯柏克萊國家實驗室(LBNL)材料科學處長張翔表示, 這種途徑僅需要幾個原子, 就可以將0與1當做形狀進行儲存, 從而實現能夠儲存機械材質的固態記憶體, 而且能夠搭配未來的原子級處理器.
該技術使用電子注入方式——而非依電荷, 自旋或任何短暫數量來編碼記憶體, 而能夠在可逆的過程中改變MoTe2的晶格結構. 根據張翔解釋, 透過電刺激重新安排原子結構, 改變了材料的特性, 從而能使用較轉移化學特性所需的更少能量來形成與感應0與1, 或是像在相變(phase-change)記憶體中一樣以熱感應躍遷.
實現這個過程的關鍵在於使用過渡金屬二硫屬化物(TMD)——在此情況下, MoTe2的原子級單層薄膜使其內部晶格結構得以透過在兩穩態之間轉移結構的電子脈衝加以改變. 張翔聯手其於UC Berkeley和Berkeley國家實驗室的研究人員共同研究, 在他們所使用的MoTe2薄膜例子中, 兩種穩定的晶格結構是對稱的2H排列, 與其相對的是1T結構.
柏克萊的研究人員們目前正嘗試使用各種不同的TMD作為目標材料, 以實現其形變晶格結構的電子注入法, 但MoTe2由於兼具可加以改變的電子和光子特性而較受青睞. 研究人員的目標在於創造一個 '設計薄膜' 庫, 可用於電腦和光學應用, 包括太陽能電池板.
在2D, 單層TMD薄膜中, 能以電子方式改變電和光的特性, 包括電阻, 自旋傳輸, 以及Berkeley研究方法所使用與相位有關的形狀改變等.
張翔表示, 研究人員的驗證概念使用了 '靜電摻雜' 電子(而非原子), 用於作為摻雜劑. 而在以離子液體塗覆MoTe2單層之後, 研究人員運用注入的電子摻雜劑以改變晶格的形狀, 據稱能夠打造出毫無缺陷的材料. 由此所產生的1T結構是傾斜且金屬的, 使其易於與半金屬結構的2H原子晶格排列方式有所區隔. 透過施加較低電壓以移除摻雜的電子, 從而恢複了原始的2H結構.
美國能源部(DoE)贊助了這項研究計劃. DoE的基礎能源科學辦公室執行傳輸研究, 而其能源轉換先進研究中心(Energy Conversion Frontier Research Center; EFRC)的光物質互動(Light-Material Interactions; LMI)進行光學測量. DOE EFRC和美國國家科學基金會(NSF)透過裝置設計和製造為該計劃提供支援. 中國的清華大學(Tsinghua University)提供了參考資料, 史丹佛大學(Stanford University)的研究人員也做出了貢獻. 此外, 還有來自陸軍研究辦公室, 海軍研究辦公室, NSF和史丹佛大學研究生獎學金的資助.
編譯: Susan Hong
(參考原文: Berkeley Builds Shape-shifting Molecular Memory, by R. Colin Johnson)eettaiwan