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1.蔡力行:联发科不是7nm首波用户;
集微网消息, 2017年即将结束, 联发科昨日举行年终记者会, 除首度和媒体面对面的蔡力行外, 新接下总经理职务的陈冠州, 财务长顾大为, 负责家庭娱乐事业部的副总游人杰, 掌管车用产品的副总徐敬全等重要主管均亲自出席.
台积电7nm制程明年将量产, 虽然联发科不在首波客户名单, 不过, 联发科共同CEO蔡力行透露, 联发科现在重要产品都采用12nm制程, 相信7nm将非常有价值, 联发科在先进制程使用不缺席, 已有3个7nm芯片产品设计中, 但无法评论何时量产.
至于联发科是否有机会「吃苹果」, 蔡力行维持一贯说法表示: 「毫无所悉. 」但他强调, 只要是有好的机会都会努力争取, 对于北美市场亦会持续扩大投资.
博通有意并购高通, 蔡力行表示, 半导体产业已趋稳定, 产业整并是一定会发生的现象, 中性看待, 不会很害怕或高兴.
近期智能手机市场出现「大厂旗舰机卖不动」的现象, 联发科受伤较轻, 归功于重新调整脚步, 回防中端市场. 陈冠州指出, 今年推出的Helio P系列产品市场反应佳, 主要针对人民币1,500元到3,000元价格带, 市场反应很不错, 明年还会再推两款P系列芯片.
针对AI趋势, 陈冠州透露, 联发科会将AI功能导入手机, 电视和家庭娱乐等各项产品平台, 未来二到三年, 将可以看见AI对产业的影响力.
2.AI革命改写图像处理芯片版图 视觉处理器后来居上;
人工智能 (AI) 成为显学, 图像处理芯片市场的版图分布也因而出现重大变动.
据研究机构Yole Développement分析, 在AI 应用的带动下, 嵌入式影像与视觉相关芯片将分成两个区块, 其一是传统的影像讯号处理器(ISP)市场, 该市场将以 6.3% 复合年增率 (CAGR) 稳定成长, 2017 年整体市场规模为 44 亿美元;
其二则是新兴的视觉运算处理器, 这类处理器主要负责执行各种影像分析算法, 因此需要极高的运算效能跟内存带宽, 其市场成长的复合年增率将高达 30.7% , 并将在 2021 年正式超越 ISP , 成为嵌入式影像与视觉芯片市场中最大的区块. 新电子
3.IDM及晶圆代工厂商将成为先进封装技术开发先驱;
台积电2016年以16nm制程晶圆代工结合InFO封测服务, 为Apple代工A10处理器; 2017年Apple新一代智能型手机A11处理器, 台积电以10nm制程结合InFO再取得代工生产大单; 2018年则将以7nm制程结合InFO代工生产A12处理器.
市场预期代工结合封测将从智能型手机大举扩增到人工智能(AI), 台积电积极提供这项整合性服务, 法人认为对部分封测与载板厂商将造成商机减少的冲击.
IDM及晶圆代工厂商将成为先进封装技术开发先驱者
尽管厂商无法再以相同步调延续摩尔定律, 但芯片, 系统和软件技术仍将持续进展, 厂商逐渐走向以开发先进封装技术来延续摩尔定律的步调, 从台积电率先开发InFO技术被Apple采用后, 不难发现封测代工厂商在先进封测领域成了追随者角色, 主要原因在于先进封装技术制程偏向更高精度的半导体制程, 此领域为IDM及晶圆代工厂商的强项.
此外, 这些厂商相对封测厂而言较能承担先进封装所需的资本资出, 理论上开发进度会比专业封测代工厂商快, 因此未来在先进封装技术领域IDM及晶圆代工厂商将会是开发先驱者角色.
封测厂商将受益于Apple采用台积电InFO广告效应
虽然台积电推出InFO使得封测厂商失去原先客户本来会下在封测代工厂商的订单, 然InFO及WLCSP等晶圆级封测技术的种种优势, 使得行动装载尺寸更加轻薄, 并且在如此有限空间内提供更多I/O数及优异的散热效果, 使处理器能发挥其最佳效能.
在Apple采用后市场反应良好, 对客户及市场来说将形成广告效应, 提升其他客户采用意愿, 成为封测厂商的商机, 加上台积电封测业务目前仅服务少数在台积电下单的晶圆代工客户, 封测厂商仍有其他目标客户能经营发展, 例如2016年Qualcomm和海思, 以及2017年Infineon向日月光下单Fan-Out, 即是受益于广告效应的最佳例证. 拓墣产业研究院
4.研究人员打造形变分子存储器
美国加州大学柏克莱分校与国家实验室的研究人员正着手打造一种分子大小的形变记忆体技术, 它只需要几个原子, 就可以将0与1当做形状进行储存, 而且能搭配未来的原子级处理器…
随着互补式金属氧化物半导体(CMOS)接近原子级, 一种分子大小的形变(shape-changing)记忆体技术正日趋完善, 从而可逆地改变二碲化钼(MoTe2)的晶格结构.
根据美国加州大学柏克莱分校(UC Berkeley)教授兼罗伦斯柏克莱国家实验室(LBNL)材料科学处长张翔表示, 这种途径仅需要几个原子, 就可以将0与1当做形状进行储存, 从而实现能够储存机械材质的固态记忆体, 而且能够搭配未来的原子级处理器.
该技术使用电子注入方式——而非依电荷, 自旋或任何短暂数量来编码记忆体, 而能够在可逆的过程中改变MoTe2的晶格结构. 根据张翔解释, 透过电刺激重新安排原子结构, 改变了材料的特性, 从而能使用较转移化学特性所需的更少能量来形成与感应0与1, 或是像在相变(phase-change)记忆体中一样以热感应跃迁.
实现这个过程的关键在于使用过渡金属二硫属化物(TMD)——在此情况下, MoTe2的原子级单层薄膜使其内部晶格结构得以透过在两稳态之间转移结构的电子脉冲加以改变. 张翔联手其于UC Berkeley和Berkeley国家实验室的研究人员共同研究, 在他们所使用的MoTe2薄膜例子中, 两种稳定的晶格结构是对称的2H排列, 与其相对的是1T结构.
柏克莱的研究人员们目前正尝试使用各种不同的TMD作为目标材料, 以实现其形变晶格结构的电子注入法, 但MoTe2由于兼具可加以改变的电子和光子特性而较受青睐. 研究人员的目标在于创造一个 '设计薄膜' 库, 可用于电脑和光学应用, 包括太阳能电池板.
在2D, 单层TMD薄膜中, 能以电子方式改变电和光的特性, 包括电阻, 自旋传输, 以及Berkeley研究方法所使用与相位有关的形状改变等.
张翔表示, 研究人员的验证概念使用了 '静电掺杂' 电子(而非原子), 用于作为掺杂剂. 而在以离子液体涂覆MoTe2单层之后, 研究人员运用注入的电子掺杂剂以改变晶格的形状, 据称能够打造出毫无缺陷的材料. 由此所产生的1T结构是倾斜且金属的, 使其易于与半金属结构的2H原子晶格排列方式有所区隔. 透过施加较低电压以移除掺杂的电子, 从而恢复了原始的2H结构.
美国能源部(DoE)赞助了这项研究计划. DoE的基础能源科学办公室执行传输研究, 而其能源转换先进研究中心(Energy Conversion Frontier Research Center; EFRC)的光物质互动(Light-Material Interactions; LMI)进行光学测量. DOE EFRC和美国国家科学基金会(NSF)透过装置设计和制造为该计划提供支援. 中国的清华大学(Tsinghua University)提供了参考资料, 史丹佛大学(Stanford University)的研究人员也做出了贡献. 此外, 还有来自陆军研究办公室, 海军研究办公室, NSF和史丹佛大学研究生奖学金的资助.
编译: Susan Hong
(参考原文: Berkeley Builds Shape-shifting Molecular Memory, by R. Colin Johnson)eettaiwan