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1.三星25年來首次超越INTEL;
集微網消息, Intel在過去25年都是半導體企業的領軍人物, 在這25年內Intel的全年銷售額都是在所有半導體企業中排名第一. 不過據《日經中文網》報導, 由於儲存產品需求旺盛, 三星在年銷售額上將超越Intel. 原文指出三星迎合了數據中心對存儲設備需求擴大的潮流, 反觀Intel, 他們的收益比較偏重PC半導體.
三星電子今年的業績很好看, 而且股價也漲了不少, 很大一部分原因是都是儲存業務表現強勢. 三星2017年1月到9月的半導體銷售額為53.15萬億韓元, 與去年同期相比增長46%. 同期Intel的銷售額只有457億美元, 與去年同期相同比增長6%. 三星在DRAM和NAND企業中都是佼佼者, 在全球儲存產品都缺貨的情況下, 價格上漲推動收益上漲.
圖片來源: 日經中文網
今年7月, 大多數半導體公司都公布了他們的財報, 三星在今年上半年營收以不到1億美元的微弱優勢超越了Intel, 三星當時就表示營收主要受益於高密度儲存產品和固態硬碟的強勁需求. 多家證券機構預計如果下半年儲存晶片價格不出現大幅下滑, 從全年的晶片銷售額來看三星的銷售額將會在25年來首次超越Intel.
數據顯示, 三星電子2017年1月至9月半導體銷售額為53.15萬億韓元 (約合3185.5億元人民幣) , 同比增長46% . 期間, 英特爾的銷售額為457億美元 (約合2952.4億元人民幣) , 僅同比增長6%. 即使考慮到匯率因素, 2017年全年三星超越英特爾也已成定局.
按照目前的趨勢看, 三星已成內定冠軍.
三星面向生產設備和研發投入巨額經費, 與競爭對手相比工廠的良品率更高. 三星以供給能力為武器推進價格談判, 促使美國蘋果等大客戶也承諾提價. 另一方面, 英特爾的收益主要依賴個人電腦用CPU (中央處理器) . 伴隨個人電腦的需求觸頂, 英特爾也不複往日的勢頭.
在半導體行業中, 預計今後存儲器的需求將繼續增長. 不過如果各半導體企業紛紛增產的話價格將出現下滑, 價格波動會較大.
2.市場供需產生變化, 近期 Nor Flash 市場價格恐開始鬆動;
近期編碼型存儲器 (Nor Flash) 因市場需求不減, 價格依舊持續維持高檔. 不過, 目前大陸有新產能開出, 加上新的解決方案應用, 導致供需雙方面都有變化的情況下, 整體市場價格開始有鬆動傾向.
根據業界人士透露, 近期 Nor Flash 價格鬆動, 在供應面上, 日前中芯國際拿出每月 1 萬片的產能給兆易創新使用, 用以生產 Nor Flash 後, 武漢新芯也可能因 NAND Flash 量產進度落後, 所以將部分閑置產能也拿出來提供兆易創新, 使兆易創新有比較多產能影響市場價格.
另外, 除了兆易創新陸續在中芯國際與武漢新芯投片, 增加產能之外, 另一家晶圓代工廠上海華力微, 據傳也開始拿出約每月萬片產能, 招攬 Nor Flash 廠商到上海華力微投片生產. 加上當前武漢新芯自製的低價 Nor Flash 產品也在中國市場搶單銷售, 使 Nor Flash 的市場價格開始有鬆動跡象.
除了供應面, 中國廠商持續有產能開出, 以影響市場價格, 需求面也因有新應用導致 Nor Flash 價格產生變化. 市場人士指出, 目前 Nor Flash 的供應大廠旺宏, 長期合作夥伴任天堂 (Nintendo) 新遊戲機 Switch 熱銷, 吃掉大多數旺宏產能的情況下, 任天堂近期也開始選用以 NAND Flash 大廠東芝 (Toshiba) 提供, 以 NAND Flash 形式為主的解決方案, 使得 Nor Flash 的需求量不增反減, 也動搖了市場價格.
此外, 一直是近期 Nor Flash 產能吃緊最大主因的 OLED 面板應用, 過去三星生產的 OLED 面板包括顯示亮度, 顏色均勻性, 電流補償等, 都是採用 Nor Flash 進行參數記憶. 之前蘋果 iPhone 以及三星手機的 OLED 面板都有用到 Nor Flash.
目前因 OLED 面板製程成熟, 使低端 OLED 已不再採用 Nor Flash 存儲各項參數, 用以降低成本; 而中端 OLED 部分, 目前廠商也在討論是否拿掉 Nor Flash 應用, 因此未來 2018 年問世的手機中, 僅有高端機款使用的 OLED 面板會繼續保留 Nor Flash 應用.
因以上供需原因, 造成近期市場 Nor Flash 價格鬆動趨勢, 至於會有多大程度的影響, 影響多久時間, 還必須要持續觀察. TechNews
3.美光樂觀看待營運展望 朝高價值產品轉型, 成本下降有成 ;
美光(Micron)近日發布該公司2018會計年度第1季財報, 營收達68億美元, 年成長71%, 優於市場分析師共識預測的64億美元, 調整後的每股盈餘達2.45美元, 大幅優於市場分析師平均預期的2.19美元, 美光管理階層發布的第2季指導目標也大幅領先市場分析師的觀點, 美光管理高層並認為當前產業情勢有別以往, 即使存儲器晶片價格呈現下跌, 但美光在持續朝高附加價值解決方案邁進及成本下滑下, 美光仍有擴大獲利表現的充分機會, 展望2018年美光高層也樂觀以待. 根據The Motley Fool報導, 針對美光管理高層此次與分析師進行的財報電話會議, 可從幾個面向分析美光營運前景, 如在當前市況與獲利表現上, 美光存儲器晶片平均銷售價格(ASP)對美光業務而言顯然是至關重要的. 有別於過去美光營收, 獲利等會因激烈存儲器市場價格戰而跟著受衝擊, 如今隨著存儲器產業一直進行整並重塑, 包括美光在內全球三大存儲器晶片製造商也出現新的財政紀律, 情況已有別於以往, 雖然存儲器晶片價格在幾季呈現穩定後再度出現下跌, 不過是緩步的下滑, 同時生產成本下降得更快速. 在此情況下美光財務長Ernie Maddock表示, 由於美光成本下降且持續向高價值解決方案邁進, 美光仍有擴大毛利的足夠空間, 其中在朝高價值解決方案邁進方面, 包括持續調整零組件銷售至更高附加價值的解決方案等. 由此顯示在當前存儲器晶片價格環境下, Maddock仍認為美光毛利擴張仍有足夠空間. 供需方面, 短期來看DRAM晶片需求是健康且呈現上揚的, 同時NAND Flash存儲器訂單量也正快速上漲, 如美光執行長Sanjay Mehrotra表示, 美光的供需預測仍與上一季該公司預測的一致, 美光2018年度DRAM產業供給位元成長率預期約達20%, 在持續性企業資料中心, 雲端及移動趨勢等驅動下, 美光預期市場環境將呈現健康態勢. NAND Flash產業方面, 美光預期2018年度位元成長率將接近50%, 主要受惠於產業持續加速64層設計量產進程, 另外雲端運算及資料中心應用對固態硬碟(SSD)的採用持續增加, 未來隨著更多供貨量浮現, 此SSD採用增加情況將進一步擴大. 目前美光也正轉朝生產更多更高獲利性的產品線, 同時限制低價值晶片產品線供應的方向邁進, 如Mehrotra表示, 美光改善其高價值解決方案組合, 交出創紀錄的SSD營收以及進一步增加其SSD市佔率, 最近美光也開始出貨該公司首款64層NAND消費性SSD產品. 美光也推出業界最快速的高密度32GB NVDIMM-N, 結合美光的DRAM與NAND以提供持續性的存儲器解決方案, 能夠處理密集的資料分析負載. 值得注意的是, 美光認為其季節性銷售模式正在消失, 如美光財務長Maddock指出, Mehrotra先前提及DRAM需求的多樣性, 當然這在NAND端也是如此, 就此多樣性需求流而言, 例如汽車領域的季節性遠不如PC客戶端, 如果環伺所有關鍵競爭者的資料中心部署情況, 肯定是每個客戶都有其特定的模式, 但如果將其全部放在一起看, 就沒有宏觀的季節性模式浮現, 因此隨著美光已在朝這些多樣化需求驅動力邁進, 季節性的概念已重新定了義, 如今受逐季的季節性影響情況也許已經比過去來得輕微. Mehrotra最後表示, 展望2018年, 美光看見該公司在形塑現代化生活的技術趨勢上有愈來愈多機會扮演要角, 存儲器及Flash儲存成為將美光推向技術最大成長趨勢十字路口的戰略性資產, 美光也對未來樂觀以待, 也因美光可提供差異化解決方案, 該公司客戶在早期設計討論中逐漸視美光為重要合作夥伴. DIGITIMES
4.兩大新技術加持 三星二代10納米DRAM量產搶商機;
搶攻DRAM市場商機, 三星電子(Samsung Electronics)宣布量產其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM. 該組件採用高敏感度的單元數據感測系統(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案, 以達更高效能, 更低功耗, 以及更小的體積.
DRAM市場表現強勁, IC Insights預估, 2017年DRAM市場將激增74%, 為1994年以來最大增幅; 未來DRAM預計將成為至今半導體產業內最大的單一產品類別, 產值高達720億美元.
為迎合市場龐大需求, 三星記憶體事業部門總裁Gyoyoung Jin表示, 第二代DDR4 DRAM的電路設計與製程新技術, 讓該公司突破DRAM擴展性的主要障礙; 三星將加速新產品的量產, 同時也積極擴大第一代DDR4 DRAM的產量.
據悉, 三星第二代10奈米製程所生產的8Gb DDR4 DRAM, 比第一代在生產效率上提高了近30%. 同時, 為提升DRAM效能, 該組件使用全新技術, 分別為高敏感度的單元數據感測系統及「空氣間隔」方案, 而非過往的EUV技術.
三星指出, 透過高敏感度的單元數據感測系統, 可更精準確定每個記憶體單元內儲存的數據, 提升電路整合度以及製造生產力; 而在字元線(Bit Lines)周遭放置空氣間隔, 可降低寄生電容, 達到更高等級的微縮及快速的單元運作.
新技術的加持讓第二代8Gb DDR4 DRAM的性能和省電效益分別提高了約10%和 15%; 且每個引腳能以每秒3,600Mbit/s的速度運行, 比第一代的8Gb DDR4 DRAM的3,200Mbit/s速度, 提升10%以上.
三星指出, 在第二代10奈米等級DRAM所採用的創新技術, 將讓該公司能加速未來DRAM晶片的問世, 包括DDR5, HBM3, LPDDR5與GDDR6, 用於企業伺服器, 超級計算機, 高性能運算系統, 以及行動設備等.
目前三星已和CPU製造商完成了第二代8Gb DDR4 DRAM模組的驗證, 接下來計劃將與全球IT企業緊密合作, 開發更高效的運算系統. 未來三星除迅速增加第二代10奈米DRAM產量外, 也將持續生產更多第一代DDR4 DRAM的產量, 以滿足日益增長的DRAM市場. 新電子
5.AI熱潮為高頻寬存儲器帶來新機遇 立體封裝成本成競爭關鍵
為滿足人工智慧及深度學習密集平行運算需求, 2016~2017年GPU晶片廠商如NVIDIA, AMD推出的新款晶片Tesla P100/ Quadro GP100, Radeon Vega等, 都選擇搭載具有高頻寬及垂直堆疊的HBM2 (Second-Generation High Bandwidth Memory)高頻存儲器. 高頻寬垂直堆疊存儲器發展迄今, 除上述HBM類型外, HMC(Hybrid Memory Cube)為另一類型. 兩者皆采多層DRAM晶粒(Die)加上Logic Die垂直堆疊封裝的形態, 基本上, HBM及HMC各自偏向2.5D, 3D封裝堆疊技術. 目前借晶圓級封裝技術生產導入最新HBM2架構的晶片製造廠商有海力士(SK Hynix), 三星(Samsung)及晶圓代工大廠台積電, 台積電采CoWoS製程(Chip on Wafer on Substrate); 而以HMC存儲器架構導入量產製造的僅以美光(Micron)/ 英特爾(Intel)陣營為主. 從英特爾收購Nervana後推出的深度學習應用晶片Lake Crest可發現, 該晶片配置的是HBM2, 因此, HBM架構無疑是2017年GPU廠商在高效能運算(HPC)配置上存儲器的主要發展方向. 然HBM2的高封裝成本及互連技術課題, 仍是影響該類型產品應用及擴散進度的關鍵. DIGITIMES Research觀察, GPU用存儲器仍會維持HBM/GDDR並存態勢. 若2018年可量產GDDR6(Graphics Double Data Rate)的話, 在高效能運算配置將采HBM2/GDDR6, 而中低階產品則以搭載GDDR5/GDDR5X為主要方向. DIGITIMES