華虹半導體在第一代90納米嵌入式快閃記憶體 (90nm G1 eFlash) 工藝技術積累的基礎上, 於90nm G2 eFlash工藝平台實現了多方面的技術提升. 90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸, 較第一代減小約25%, 為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式快閃記憶體技術的最小尺寸.
此外, 90nm G2採用了新的Flash IP設計架構, 在保證高可靠性 (即10萬次擦寫及25年數據保持能力) 的同時, 提供了極小面積的低功耗Flash IP. 因此, 90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體晶片面積, 從而在單片晶圓上擁有更多的裸晶片數量, 尤其對於具有高容量eFlash的晶片產品, 90nm G2 eFlash的面積優勢更為顯著.
值得一提的是, 90nm G2 eFlash在第一代的基礎上又縮減了一層光罩, 使得製造成本更低.
目前, 90nm G2 eFlash已實現了高良率的穩定量產, 成功用於大規模生產電信卡晶片, 並將為智能卡晶片, 安全晶片產品以及MCU等多元化產品提供更具性價比的晶片製造技術解決方案.
華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示: '第二代的90nm G2 eFlash工藝的成功量產, 標誌著華虹半導體在特色化嵌入式快閃記憶體技術上的又一次成功. 嵌入式非易失性存儲器技術是我們的戰略重點之一, 長期以來憑藉著高安全性, 高穩定性, 高性價比以及技術先進性在業界廣受認可. 作為全球領先的智能卡IC代工廠, 華虹半導體將堅持深耕, 不斷優化工藝, 升級平台, 持續領航智能IC卡代工領域, 並大力發力物聯網, 新能源汽車等高增長新興市場. '