华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存 (90nm G1 eFlash) 工艺技术积累的基础上, 于90nm G2 eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升. 90nm G2微缩了Flash的元胞尺寸, 较第一代减小约25%, 为目前全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸.
此外, 90nm G2采用了新的Flash IP设计架构, 在保证高可靠性 (即10万次擦写及25年数据保持能力) 的同时, 提供了极小面积的低功耗Flash IP. 因此, 90nm G2 eFlash能够大大缩小整体芯片面积, 从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量, 尤其对于具有高容量eFlash的芯片产品, 90nm G2 eFlash的面积优势更为显著.
值得一提的是, 90nm G2 eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩, 使得制造成本更低.
目前, 90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产, 成功用于大规模生产电信卡芯片, 并将为智能卡芯片, 安全芯片产品以及MCU等多元化产品提供更具性价比的芯片制造技术解决方案.
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示: '第二代的90nm G2 eFlash工艺的成功量产, 标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功. 嵌入式非易失性存储器技术是我们的战略重点之一, 长期以来凭借着高安全性, 高稳定性, 高性价比以及技术先进性在业界广受认可. 作为全球领先的智能卡IC代工厂, 华虹半导体将坚持深耕, 不断优化工艺, 升级平台, 持续领航智能IC卡代工领域, 并大力发力物联网, 新能源汽车等高增长新兴市场. '