DRAM市場表現強勁, IC Insights預估, 2017年DRAM市場將激增74%, 為1994年以來最大增幅; 未來DRAM預計將成為至今半導體產業內最大的單一產品類別, 產值高達720億美元.
為迎合市場龐大需求, 三星記憶體事業部門總裁Gyoyoung Jin表示, 第二代DDR4 DRAM的電路設計與製程新技術, 讓該公司突破DRAM擴展性的主要障礙; 三星將加速新產品的量產, 同時也積極擴大第一代DDR4 DRAM的產量.
據悉, 三星第二代10奈米製程所生產的8Gb DDR4 DRAM, 比第一代在生產效率上提高了近30%. 同時, 為提升DRAM效能, 該組件使用全新技術, 分別為高敏感度的單元數據感測系統及「空氣間隔」方案, 而非過往的EUV技術.
三星指出, 透過高敏感度的單元數據感測系統, 可更精準確定每個記憶體單元內儲存的數據, 提升電路整合度以及製造生產力; 而在字元線(Bit Lines)周遭放置空氣間隔, 可降低寄生電容, 達到更高等級的微縮及快速的單元運作.
新技術的加持讓第二代8Gb DDR4 DRAM的性能和省電效益分別提高了約10%和 15%; 且每個引腳能以每秒3,600Mbit/s的速度運行, 比第一代的8Gb DDR4 DRAM的3,200Mbit/s速度, 提升10%以上.
三星指出, 在第二代10奈米等級DRAM所採用的創新技術, 將讓該公司能加速未來DRAM晶片的問世, 包括DDR5, HBM3, LPDDR5與GDDR6, 用於企業伺服器, 超級計算機, 高性能運算系統, 以及行動設備等.
目前三星已和CPU製造商完成了第二代8Gb DDR4 DRAM模組的驗證, 接下來計劃將與全球IT企業緊密合作, 開發更高效的運算系統. 未來三星除迅速增加第二代10奈米DRAM產量外, 也將持續生產更多第一代DDR4 DRAM的產量, 以滿足日益增長的DRAM市場.