DRAM市场表现强劲, IC Insights预估, 2017年DRAM市场将激增74%, 为1994年以来最大增幅; 未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别, 产值高达720亿美元.
为迎合市场庞大需求, 三星内存事业部门总裁Gyoyoung Jin表示, 第二代DDR4 DRAM的电路设计与制程新技术, 让该公司突破DRAM扩展性的主要障碍; 三星将加速新产品的量产, 同时也积极扩大第一代DDR4 DRAM的产量.
据悉, 三星第二代10奈米制程所生产的8Gb DDR4 DRAM, 比第一代在生产效率上提高了近30%. 同时, 为提升DRAM效能, 该组件使用全新技术, 分别为高敏感度的单元数据感测系统及「空气间隔」方案, 而非过往的EUV技术.
三星指出, 透过高敏感度的单元数据感测系统, 可更精准确定每个内存单元内储存的数据, 提升电路整合度以及制造生产力; 而在字符线(Bit Lines)周遭放置空气间隔, 可降低寄生电容, 达到更高等级的微缩及快速的单元运作.
新技术的加持让第二代8Gb DDR4 DRAM的性能和省电效益分别提高了约10%和 15%; 且每个引脚能以每秒3,600Mbit/s的速度运行, 比第一代的8Gb DDR4 DRAM的3,200Mbit/s速度, 提升10%以上.
三星指出, 在第二代10奈米等级DRAM所采用的创新技术, 将让该公司能加速未来DRAM芯片的问世, 包括DDR5, HBM3, LPDDR5与GDDR6, 用于企业服务器, 超级计算机, 高性能运算系统, 以及行动设备等.
目前三星已和CPU制造商完成了第二代8Gb DDR4 DRAM模块的验证, 接下来计划将与全球IT企业紧密合作, 开发更高效的运算系统. 未来三星除迅速增加第二代10奈米DRAM产量外, 也将持续生产更多第一代DDR4 DRAM的产量, 以满足日益增长的DRAM市场.