事實上, 目前東芝的第 6 座工廠 (Fab 6) 正在建設當中, 預計將於 2018 年第 4 季完工. 不過, 面對市場的強烈需求, 東芝擴產的步伐似乎還不打算停下來. 因此, 東芝在 21 日宣布, 將投資 70 億日圓用於 Fab7 廠的興建, 選址就位於日本四日市. 日前, 東芝才就出售半導體業務一事已經和威騰電子握手言和, 達成協議. 未來東芝需要威騰電子的數據提供, 以使得 2018 年的新先進晶片生產線進行投產, 以此競爭對手和三星, Intel, 及 SK 海力士競爭.
報導進一步指出, 目前數據中心和企業伺服器強勁 NAND Flash 快閃記憶體需求, 已經促使東芝擴大在四日市的設備規模. 而且, 其他 NAND Flash 快閃記憶體供貨商, 包括了三星與 SK 海力士在 2017 年都宣布完成或開始新廠建造計劃.
目前, 東芝主要以生產 64 層堆棧的 V-NAND 快閃記憶體為主, 未來計劃在下一步升級到 94 層 V-NAND 快閃記憶體生產. 而除了 TLC 規格之外, 也將還會有特別的 QLC 規格產品, 目的就是為了加強產品的滲透力以提升市場競爭力.
而對於將興建 Fab7 廠, 東芝預計在 2018 年 2 月完成新廠的土地的收購作業, 同時會下單建築材料和基礎設備. 據了解, 東芝還將根據市場趨勢, 成立東芝儲存岩手縣公司, 以管理工廠的建設和運營. 整體廠房興建計劃將在 2018 年底前完成, 2019 年之後逐步安裝設備, 並且在年底前開始生產.