事实上, 目前东芝的第 6 座工厂 (Fab 6) 正在建设当中, 预计将于 2018 年第 4 季完工. 不过, 面对市场的强烈需求, 东芝扩产的步伐似乎还不打算停下来. 因此, 东芝在 21 日宣布, 将投资 70 亿日圆用于 Fab7 厂的兴建, 选址就位于日本四日市. 日前, 东芝才就出售半导体业务一事已经和威腾电子握手言和, 达成协议. 未来东芝需要威腾电子的数据提供, 以使得 2018 年的新先进芯片生产线进行投产, 以此竞争对手和三星, Intel, 及 SK 海力士竞争.
报导进一步指出, 目前数据中心和企业服务器强劲 NAND Flash 闪存需求, 已经促使东芝扩大在四日市的设备规模. 而且, 其他 NAND Flash 闪存供货商, 包括了三星与 SK 海力士在 2017 年都宣布完成或开始新厂建造计划.
目前, 东芝主要以生产 64 层堆栈的 V-NAND 闪存为主, 未来计划在下一步升级到 94 层 V-NAND 闪存生产. 而除了 TLC 规格之外, 也将还会有特别的 QLC 规格产品, 目的就是为了加强产品的渗透力以提升市场竞争力.
而对于将兴建 Fab7 厂, 东芝预计在 2018 年 2 月完成新厂的土地的收购作业, 同时会下单建筑材料和基础设备. 据了解, 东芝还将根据市场趋势, 成立东芝储存岩手县公司, 以管理工厂的建设和运营. 整体厂房兴建计划将在 2018 年底前完成, 2019 年之后逐步安装设备, 并且在年底前开始生产.