2017年5月, 台積電技術長孫元成首次在其技術論壇上, 由發表了自行研發多年的eMRAM (嵌入式磁阻式隨機存取記憶體) 和eRRAM (嵌入式電阻式記憶體) 技術, 分別預定在2018和2019年進行風險性試產, 且將採用先進的22奈米製程.
研發這項技術的目標很清楚, 就是要達成更高的效能, 更低的電耗, 以及更小的體積, 以滿足未來智能化與萬物聯網的全方面運算需求. 目前包含三星與英特爾都在研發相關的產品與製程技術.
嵌入式記憶體製程是在晶圓層級中, 由晶圓代工廠把邏輯IC與記憶體晶片整合在同一顆晶片中. 這樣的設計不僅可以達成最佳的傳輸性能, 同時也縮小了晶片的體積, 透過一個晶片就達成了運算與儲存的功能, 而這對於物聯網裝置經常需要數據運算與數據儲存來說, 非常有吸引力.
以台積電為例, 他們的主要市場便是鎖定物聯網, 高性能運算與汽車電子等.
不過, 目前主流的快閃記憶體因為采電荷儲存為其數據寫入的基礎, 因此其耐用度與可靠度在20nm以下, 就會出現大幅的衰退, 因此就不適合用在先進位程的SoC設計裡. 雖然可以透過軟體糾錯和演算法校正, 但這些技術在嵌入式系統架構中轉換並不容易. 所以結構更適合微縮的次世代記憶體就成為先進SoC設計的主流.