物联网与AI将推升次世代内存需求

经过十多年的沉潜, 次世代内存的产品, 包含FRAM, MRAM (磁阻式随机存取内存) 和RRAM (可变电阻式内存) , 在物联网与智能应用的推动下, 开始找到利基市场.

2017年5月, 台积电技术长孙元成首次在其技术论坛上, 由发表了自行研发多年的eMRAM (嵌入式磁阻式随机存取内存) 和eRRAM (嵌入式电阻式内存) 技术, 分别预定在2018和2019年进行风险性试产, 且将采用先进的22奈米制程.

研发这项技术的目标很清楚, 就是要达成更高的效能, 更低的电耗, 以及更小的体积, 以满足未来智能化与万物联网的全方面运算需求. 目前包含三星与英特尔都在研发相关的产品与制程技术.

嵌入式内存制程是在晶圆层级中, 由晶圆代工厂把逻辑IC与内存芯片整合在同一颗芯片中. 这样的设计不仅可以达成最佳的传输性能, 同时也缩小了芯片的体积, 透过一个芯片就达成了运算与储存的功能, 而这对于物联网装置经常需要数据运算与数据储存来说, 非常有吸引力.

以台积电为例, 他们的主要市场便是锁定物联网, 高性能运算与汽车电子等.

不过, 目前主流的闪存因为采电荷储存为其数据写入的基础, 因此其耐用度与可靠度在20nm以下, 就会出现大幅的衰退, 因此就不适合用在先进制程的SoC设计里. 虽然可以透过软件纠错和算法校正, 但这些技术在嵌入式系统架构中转换并不容易. 所以结构更适合微缩的次世代内存就成为先进SoC设计的主流.

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