問: 聯電重新投入DRAM技術研發原因為何?
答: 聯電的本業是晶圓代工, 順應市場趨勢並強化晶圓代工的服務, 聯電研發DRAM的經驗有助於新世化記憶體的發展, 包括MRAM (磁阻式隨機存取記憶體) 等, 等於可以搶先進入有潛力的新市場. 再者, 聯電是借外部力量來研發DRAM技術, 福建晉華支援研發費用, 雙方共同投入研發設備及技術, 可快速研發速度, 不會擠壓聯電的獲利表現.
聯電要獨立自主研發DRAM技術, 另一個重要意義是為台灣半導體產業落實技術紮根, 這是當年聯電與世界先進完成自主研發DRAM技術後, 相隔15年後再次有台灣企業投入難度最大的DRAM研發工作, 意義格外重大.
問: 美光對聯電提告的關鍵在於聯電多年未涉及DRAM研發及生產, 聯電的技術來源為何?
答: 聯電要自主研發DRAM技術. 聯電在晶圓代工市場多年, 長期投入研發已有很好的技術實力, 連最先進囗最複雜的14nm邏輯IC製程都自主研發成功並開始投產, 而且許多DRAM技術與聯電既有的邏輯技術相通. 至於在DRAM特有技術部分, 則透過公開的技術報告, 逆向工程方式了解, 再依據開發路線落實. 事實上, DRAM工作原理沒有改變, 現今的DRAM只是藉由更先進的製程技術, 達到每位更低成本的目標, 操作原理與15年前研發DRAM時相同.
問: 聯電的DRAM事業的營運模式為何?
答: 聯電目前與國外DRAM設計公司合作, 以達成及加速DRAM技術研發. 不同於三大DRAM廠有自己的設計團隊, 聯電本業是晶圓代工, 所以與DRAM設計公司合作最符合聯電的營運模式, 與經驗豐富的DRAM設計團隊合作, 可以減少研發過程中的許多不確定性因素, 加快問題解決的速度. 再者, 聯電未來的DRAM技術研發成功後, 會授權給晉華生產, 但聯電並沒有投資晉華, 未來也可爭取其它DRAM代工訂單. 聯電目前沒有自建DRAM產能計劃, 不會與台灣現有DRAM廠商競爭.
問: 聯電自行研發的DRAM技術與美光的DRAM技術並不相同?
答: 聯電不了解美光製造DRAM的內容, 因此無從說明兩者之差異, 但根據第三方TechInsights於2013年發表文章, 有分析美光, 爾必達, 三星, SK海力士在30奈米製程世代的DRAM, 美光採用直行式主動區 (Active Area, AA) 設計, 但聯電DRAM選擇交錯式AA設計, 與美光的記憶胞架構明顯不同. DRAM的記憶胞是技術上最核心之處, 選擇不同的記憶胞架構, 代表了不同的研發道路, 證明聯電和美光的技術核心不相同.
集微網消息, 12月初美光科技在美國加州提起民事訴訟, 控告聯電及福建晉華侵害DRAM的營業秘密.
美光表示, 該公司依據保護營業秘密法, 與反勒索及受賄組織法的民事條款, 控告聯電與福建晉華竊取其商業機密及其他不當行為; 美光將積極保護其全球智慧財產權, 以一切法律途徑, 遏止任何不法濫用行為.
去年五月, 聯電宣布與福建省晉華整合電路公司簽約合作, 聯電接受晉華委託開發DRAM相關製程技術.