问: 联电重新投入DRAM技术研发原因为何?
答: 联电的本业是晶圆代工, 顺应市场趋势并强化晶圆代工的服务, 联电研发DRAM的经验有助于新世化内存的发展, 包括MRAM (磁阻式随机存取内存) 等, 等于可以抢先进入有潜力的新市场. 再者, 联电是借外部力量来研发DRAM技术, 福建晋华支持研发费用, 双方共同投入研发设备及技术, 可快速研发速度, 不会挤压联电的获利表现.
联电要独立自主研发DRAM技术, 另一个重要意义是为台湾半导体产业落实技术扎根, 这是当年联电与世界先进完成自主研发DRAM技术后, 相隔15年后再次有台湾企业投入难度最大的DRAM研发工作, 意义格外重大.
问: 美光对联电提告的关键在于联电多年未涉及DRAM研发及生产, 联电的技术来源为何?
答: 联电要自主研发DRAM技术. 联电在晶圆代工市场多年, 长期投入研发已有很好的技术实力, 连最先进囗最复杂的14nm逻辑IC制程都自主研发成功并开始投产, 而且许多DRAM技术与联电既有的逻辑技术相通. 至于在DRAM特有技术部分, 则透过公开的技术报告, 逆向工程方式了解, 再依据开发路线落实. 事实上, DRAM工作原理没有改变, 现今的DRAM只是藉由更先进的制程技术, 达到每位更低成本的目标, 操作原理与15年前研发DRAM时相同.
问: 联电的DRAM事业的营运模式为何?
答: 联电目前与国外DRAM设计公司合作, 以达成及加速DRAM技术研发. 不同于三大DRAM厂有自己的设计团队, 联电本业是晶圆代工, 所以与DRAM设计公司合作最符合联电的营运模式, 与经验丰富的DRAM设计团队合作, 可以减少研发过程中的许多不确定性因素, 加快问题解决的速度. 再者, 联电未来的DRAM技术研发成功后, 会授权给晋华生产, 但联电并没有投资晋华, 未来也可争取其它DRAM代工订单. 联电目前没有自建DRAM产能计划, 不会与台湾现有DRAM厂商竞争.
问: 联电自行研发的DRAM技术与美光的DRAM技术并不相同?
答: 联电不了解美光制造DRAM的内容, 因此无从说明两者之差异, 但根据第三方TechInsights于2013年发表文章, 有分析美光, 尔必达, 三星, SK海力士在30奈米制程世代的DRAM, 美光采用直行式主动区 (Active Area, AA) 设计, 但联电DRAM选择交错式AA设计, 与美光的记忆胞架构明显不同. DRAM的记忆胞是技术上最核心之处, 选择不同的记忆胞架构, 代表了不同的研发道路, 证明联电和美光的技术核心不相同.
集微网消息, 12月初美光科技在美国加州提起民事诉讼, 控告联电及福建晋华侵害DRAM的营业秘密.
美光表示, 该公司依据保护营业秘密法, 与反勒索及受贿组织法的民事条款, 控告联电与福建晋华窃取其商业机密及其他不当行为; 美光将积极保护其全球知识产权, 以一切法律途径, 遏止任何不法滥用行为.
去年五月, 联电宣布与福建省晋华集成电路公司签约合作, 联电接受晋华委托开发DRAM相关制程技术.