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1.Xcerra再向CFIUS提被華芯40億收購申請;
集微網消息, 美國半導體集團Xcerra再次向財政部屬下美國外資投資委員會(CFIUS)提交申請, 希望獲得批准, 完成中國買家提出的收購建議.
Xcerra在4月同意接納, 具中國官方背景的華芯投資管理公司旗下的Unic Capital Management所提出的5.8億美元收購建議. 交易須得到CFIUS批准. 不過, 後者沒有在指定的75天內批准Xcerra交易. 重新向CFIUS提交申請, 可以讓Xcerra有另外的75天時間, 等待審批.
Xcerra行政總裁Dave Tacelli指出, 已經與CFIUS進行有建設性的溝通, 確保委員會明白行業性質, 以便批准交易, 但委員會已表明或需額外時間作決定.
8月17日, 曾有消息傳出, 中資收購美國半導體測試廠Xcerra一案, 因國家安全疑慮可能中途生變. 據華爾街日報報導, 另一家美國競爭對手Cohu試圖暗中作梗, 欲阻止Xcerra過門.
報導指出, Cohu直接向美國外國投資委員會 (CFIUS) 打小報告, 直指中資收購Xcerra有國安上的疑慮.
面對上述指控, Xcerra回複路透社詢問時表示, Cohu所陳之事子虛烏有, 因為Xcerra並未擁有任何客戶的關鍵IP. 半導體公司不會與測試廠或代理商分享重要資訊.
2.國記憶體儲關鍵核心材料論文首登《Science》;
王曦院士為宋志棠團隊頒發獎狀和獎金
上海微系統所所長, 國家02專項副總師王曦講話
宋志棠研究員作相關研究報告
科學網12月22日上海訊 (記者黃辛) 為鼓勵廣大科技人員融入科技創新主戰場, 促進學術繁榮和鼓勵科技人才成長, 中科院上海微系統所今天下午舉行Science高水平文章發布報告會, 表彰宋志棠研究員課題組在高速, 低功耗新型Sc-Sb-Te相變存儲材料研究中的重大科學發現. 據悉, 上海微系統與資訊技術研究所聯合中芯國際整合電路製造有限公司, 選擇以嵌入式相變存儲器 (PCRAM) 為切入點, 在國家重點研發計劃納米科技重點專項, 國家科技重大專項 '極大規模整合電路製造裝備及成套工藝' 專項 (02專項) , 國家自然科學基金, 中國科學院A類戰略性先導科技專項, 上海市領軍人才, 上海市科委等項目的資助下, 經過十餘年的研究, 在存儲材料篩選, 存儲晶片設計, PCRAM的基礎製造技術等方面取得系列重要科技進展.
據悉, 相關研究成果具有獨立自主智慧財產權 (國際專利PCT/CN2016/096334, 中國專利201510697470.2) . 今年11月9日, 《科學》期刊以題為 'Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable subnanosecond memory writing' 線上發表這一重要研究成果, 並在12月15日的期刊上刊出. 這是上海微系統所在Science正刊上發表的重要學術論文, 也是國內先進存儲技術關鍵核心材料領域的第一篇學術論文.
報告會由上海微系統所黨委書記齊鳴主持; 副所長謝曉明宣讀了上海微系統所對PCRAM項目組的表彰決定. 中科院院士, 上海微系統所所長, 國家02專項副總師王曦為團隊頒發了獎狀和獎金.
王曦在講話中表示, PCRAM團隊在宋志棠研究員的帶領下, 從2002年至今, 經過近15年的刻苦鑽研所取得的成果值得祝賀. 他希望科學家們能百尺竿頭, 更進一步, 在現有基礎上作出更大的成績. 能面向世界科技前沿, 面向國家重大需求, 面向國民經濟主戰場, 助力創新驅動, 努力為踐行中科院新時期辦院方針, 融入上海市科創中心建設作出新的貢獻.
整合電路產業是 '十三五' 國家戰略新興產業. 存儲器是整合電路最重要的技術之一, 是國家核心競爭力的重要體現. 我國作為全球電子產品的製造基地, 存儲器的自給能力還相對較弱. 國外三星, 英特爾等大型半導體公司對存儲器技術與產品的壟斷, 對我國資訊產業發展與資訊安全形成重大隱患. 發展我國自主智慧財產權的新型半導體存儲技術迫在眉睫.
目前, 國際上通用的相變存儲材料是 '鍺銻碲' (Ge-Sb-Te) . 近年來, 整合電路技術的發展對存儲器晶片的功耗, 壽命, 尺寸, 持久力等各項性能指標均提出了更高要求, 世界各國科學家都在加緊攻關存儲材料研發.
中科院上海微系統與資訊技術研究所宋志棠科研團隊在新型相變存儲材料研究方面取得重大突破, 在自主相變八面體基元與面心立方亞穩態理論的指導下, 創新提出一種兩個八面體晶格與電子結構相匹配的研發思路, 來設計新型相變材料, 以穩定八面體作為成核中心來減小非晶成核的隨機性實現相變材料的高速晶化. 通過第一性理論計算與分子動力學類比, 從眾多過渡族元素中, 優選出鈧, 銥 (Sc, Y) 作為摻雜元素, 通過存儲單元存儲性能測試, 尤其是對存儲單元高速擦寫的測試, 發明了高速, 低功耗, 長壽命, 高穩定性的 '鈧銻碲' (Sc-Sb-Te) 相變材料, 利用0.13um CMOS工藝製備的Sc-Sb-Te基相變存儲器件實現了700皮秒的高速可逆寫擦操作, 迴圈壽命大於107次. 相比傳統Ge-Sb-Te基相變存儲器件, 其操作功耗降低了90%, 且十年的數據保持力相當. 通過進一步優化材料與微縮器件尺寸, Sc-Sb-Te基PCRAM綜合性能將會得到進一步提升. 研究表明, Sc-Te穩定八面體作為成核生長核心是高速, 低功耗的主要原因; 晶格與電子結構匹配是長壽命主要原因; 穩定八面體抑制面心立方向六方 (FCC-HEX) 轉化也是高速, 低功耗的原因之一.
據了解, Sc-Sb-Te相變存儲材料的重大發現來自於中科院上海微系統所科研團隊在相變存儲器方面的長期科研工作積累. 該科研團隊還發現了比國際量產的Ge-Sb-Te性能更好的Ti-Sb-Te自主新型相變存儲材料; 自主研發了具有國際先進水平的雙溝道隔離的4F2高密度二極體技術; 開發出了我國第一款8Mb PCRAM試驗晶片; 所開發的基於0.13umCMOS工藝的印表機用嵌入式PCRAM產品已獲得首個750萬顆的訂單; 所開發的基於40nm高密度二極體技術, 具有最小單元尺寸的自讀存儲器已經開始送樣; 所研製的40nm節點PCRAM試驗晶片的單元成品率最高達99.999%以上, 甚至有不加修正4Mb, 64Mb PCRAM晶片, 現已提供客戶在先進資訊系統上試用.
會上, 宋志棠研究員代表團隊分享了相變存儲研發動態以及項目組堅持不懈探索技術創新和成果產業化的心路曆程.
他表示, 新型相變材料的這些性能表現, 從物理上解決了存儲器低功耗與高速擦寫問題, 配上自主開發的已在量產晶片上用過的高速讀出電路 (US8947924) , 就可以形成我國新一代最先進存儲器. 如將在高密度, 三維存儲晶片上進一步對該材料進行驗證, 對於我國突破國外技術壁壘, 開發自主智慧財產權的存儲器晶片具有重要價值; 對實現我國存儲器技術的跨越式發展, 促進我國資訊產業繁榮, 維護我國資訊安全具有戰略意義.
自然科學基金委資訊學部四處處長潘慶, 中國科學院前沿科學與教育局技術科學處處長孔明輝, 北京大學教授張興, 02國家科技重大專項管理辦公室專家馬振宇, 上海市科學技術委員會高新處副處長宋揚, 主管陳明, 上海市整合電路研發中心董事長趙宇航 , 上海納米中心主任閔國權, 中芯國際整合電路製造有限公司執行副總裁周梅生, 華克路以及上海微系統所中層以上幹部, 科研骨幹, 研究生等參加了報告會.
與會專家紛紛表示, 為宋志棠和團隊的執著, 堅持所感動. 十年磨一劍, 他們期待團隊能不忘初心, 在基礎研究取得原創性重大突破進展的同時, 在科技成果產業化和服務於國民經濟建設主戰場取得更大的成果.
3.北大納米雷射領域論文登陸《自然·通訊》和《科學·進展》;
最近, 北京大學物理學院馬仁敏研究員與其合作者通過理論分析和系統實驗證明了等離激元納米雷射器可以比傳統雷射器體積更小, 速度更快, 並具有更低的閾值和功耗; 並揭示了等離激元納米雷射器與傳統雷射器相比存在本質區別, 其輻射場可以全部為金屬中自由電子振蕩形成的表面等離激元形式. 相關工作分別被《自然·通訊》和《科學·進展》雜誌以標題 'Unusual scaling laws for plasmonic nanolasers beyond the diffraction limit' 和 'Imaging the dark emission of spasers' 進行了報道.
雷射器的研製加深了人們對光與物質相互作用的認識, 並極大地推動了現代科學與技術的發展. 自雷射器發明以來, 其微型化一直是雷射領域核心的研究方向之一. 其目的是獲得更小體積, 更高調製速度以及更低功耗的雷射器. 比如雷射在晶片上光互連上的應用就直接要求雷射器的特徵尺度接近電子器件, 並且其功耗要小於成熟的電互聯, 應約在10飛焦每比特量級. 雷射器的功耗與其尺度呈正相關的關係, 10飛焦每比特量級的功耗直接要求雷射器的模式體積要小於約0.02個波長立方.
圖1 傳統雷射器 (左) 和納米雷射器 (右) 基本原理示意圖
過去40年中雷射器的微型化已經取得了巨大的成就, 發展出了包括垂直腔面發射雷射器 (VCSEL) , 微盤雷射器, 光子晶體雷射器和納米線雷射器等微型化雷射器. 然而在這些傳統的光學雷射器中, 增益介質是通過受激輻射放大光子, 因而雷射器尺寸受光學衍射極限限制, 每個維度最小的尺度均要大於半個波長, 難以實現微型化 (圖1左) .
等離激元納米雷射器是一種三維物理尺度可同時遠小於出射波長的新型雷射器 (圖1右) . 這種納米雷射器與傳統的光學雷射器不同, 它是通過放大金屬中自由電子振蕩形成的表面等離激元, 而非光子, 從而可實現深亞波長10納米量級特徵尺度的光場限制. 然而納米雷射器中利用等離激元效應所帶來的電磁場空間局域化必然伴隨著金屬吸收損耗. 因此, 納米雷射器相比傳統雷射器可否具有性能優勢這一問題一直存在爭論.
馬仁敏研究員與其合作者同過系統優化增益材料, 金屬材料以及共振腔, 使納米雷射器激射閾值降低至10千瓦每平方厘米水平, 比目前已報道的最低的納米雷射器閾值低兩個量級以上, 首次將納米雷射器的閾值降至可商業化雷射器的雷射閾值水平. 他們進一步系統研究了100餘組等離激元納米雷射器與100餘組無金屬限制的對照樣品, 實驗給出了等離激元納米雷射器各關鍵性能隨尺寸變化的規律 (Scaling Laws) , 證明了納米雷射器相較於傳統雷射器在納米尺度可以同時具有更小的物理尺寸, 更快的調製速度, 更低的閾值與功耗 (圖2) . 該工作發表於《自然·通訊》 (8, 1889, 2017) .
圖2 等離激元納米雷射器可以比傳統光學雷射器體積更小 (a) , 功耗更低 (b) , 速度更快 (c)
在今年發表於《科學·進展》 (3, e1601962, 2017) 的另一項工作中, 馬仁敏研究員與合作者採用漏輻射顯微成像技術, 通過動量匹配的方法將納米雷射器的表面等離激元暗輻射耦合到遠場, 實現了實空間, 動量空間和頻譜空間的直接成像, 如圖3所示. 結果表明納米雷射器與傳統雷射器相比存在本質區別, 其輻射場可以全部為金屬中自由電子振蕩形成的表面等離激元形式. 該工作首次揭示了納米雷射器的輻射能量可以百分之百耦合到傳播模式的表面等離激元, 為對納米雷射器進行進一步操控和應用奠定了基礎.
圖3 納米雷射器實空間 (a) , 動量空間 (b) 和頻率空間 (c) 成像圖
北大博士生王所和博士後王興遠為《自然·通訊》論文共同第一作者; 北大博士生陳華洲, 2011級本科生胡家祺和博士生王所為《科學·進展》論文共同第一作者; 主要合作者包括北京大學戴倫教授和英國帝國理工大學Rupert Oulton教授; 馬仁敏研究員為兩篇論文的通訊作者. 這兩項工作得到了 '青年千人' 項目, 國家自然科學基金委, 科技部, 人工微結構和介觀物理國家重點實驗室, 量子物質科學協同創新中心等的支援.
附: 馬仁敏研究員實驗室主頁: http://www.phy.pku.edu.cn/~renminma/ 北京大學
4.中科院建成國內規模最大的實驗室儀器設備共用平台
中新社北京12月22日電 (記者 張素)記者22日從中國科學院獲悉, 該院建成國內規模最大的實驗室儀器設備線上服務和運行管理系統, 並有效推進科研儀器設備的社會共用.
這套系統名為 '中國科學院儀器設備共用管理平台V3.0系統' , 基於移動應用, 物聯網, 雲環境和開放技術架構建設而成. 2016年底上線以來, 已在中科院的15個大型儀器區域中心, 114個研究所成功應用.
據統計, 上線大型儀器設備達到8000餘台套, 價值超過110億元人民幣, 系統用戶數達到4萬餘人. 截至2017年11月底, 共用平台年度使用機時已突破1000萬小時, 處理委託單數近60萬單.
數據表明, 這套系統使閑置的科研儀器設備從 '院內' 走到 '院外' , 實現社會開放共用. V3.0系統上線一年以來, 院外共用機時達到151餘萬個小時.
驗收專家評價, V3.0系統實現了從設備預約, 預約審核, 檢測分析, 樣品登記到費用結算的實驗全生命周期管理, 一批重大科技創新成果由此產出. 比如, 中國科學院物理研究所依託北京物質科學與納米技術大型儀器區域中心超導公共技術平台, 在鐵基超導研究中不斷刷新超導臨界溫度記錄.
還有院所藉助V3.0系統服務社會經濟. 蘇州納米技術與納米模擬研究所依託平台, 一年內為120家科研院所, 220個高校科研團隊和約120家研發企業提供服務. 其中包括為蘇州敏芯微電子技術有限公司和瑋琪生物科技有限公司解決了雷射隱形切割工藝難題, 使企業良品率大幅提升.