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1.三星S9+跑分曝光 驍龍845多核性能直逼A11;
集微網消息, (羅明/文)最近關於三星新一代旗艦機S9的新聞開始增加了不少, 從最開始的外觀保護套, 再到今天的搭載驍龍845處理器版本的三星S9+跑分曝光, 不難看出距離三星新一代旗艦機的發布日期不遠了.
近日一款型號為三星SM-G965U1設備在GeekBench4上的曝光, 從三星以往設備的命名看, 應該是搭載6GB RAM的三星S9+了, GeenkBench4識別的晶片模組為SDM845, 不難看出就是高通的旗艦晶片驍龍845.
從跑分成績看, 驍龍845單核跑分2422, 理所當然的遠超驍龍835, 麒麟970, 以及獵戶座8895, 終於趕上了蘋果的A9處理器.
在多核跑分方面, 驍龍845總算可以揚眉吐氣一把了, 8351的分數直接超越了A9X/A10, 性能直逼蘋果的A11. 也許在下一代處理器, 我們或許能夠見到高通與蘋果在多核性能方面平起平坐了.
搭載如此強悍性能的高通驍龍845處理器加上三星品牌的號召力, 明年的三星S9還真是讓人期待.
2.矽品明年資本支出1/4用於晉江設廠;
集微網消息, 矽品配合福建晉江設廠及先進封測產能擴增計劃, 董事會昨 (20) 日通過明年資本支出將達192億元新台幣 , 為曆來最大資本支出; 矽品董事會並訂明年2月12日和日月光同步舉行股東臨時會, 為日矽合體踏出重要一步.
矽品表示, 明年資本支出金額大增, 主因很多新增購地款和廠房, 設備金額須在明年付款, 加上先進位程包括晶圓級尺寸封裝 (WLCSP) , 扇出型封裝 (Fan-Out) , 2.5D及3D IC等植晶凸塊先進封測設備和產能擴增, 都需要大筆支出.
矽品強調, 192億元中, 估計有四分之一將作為福建晉江廠新建案, 扣除這項投資案, 明年用在台灣的資本支出和往年相近.
矽品福建晉江廠, 座位於福建省晉江市整合電路產業園區土地, 單是購地金額即達4.7億元, 這項計劃主要配合聯電晉華投資案,
廠房也位在晉華附近, 矽品設定投資為4,500萬美元 (近新台幣14億元) , 未來將以存儲器與邏輯晶片封測業務為主, 與目前蘇州廠的業務不會互相衝突.
此外, 配合與日月光合組控股公司案上月底獲大陸商務部通過, 矽品董事會訂明年2月12日和日月光同步舉行股東臨時會, 討論通過雙方簽署的 '共同轉換股份協議' , '共同轉換股份協議增補協議' 及股份轉換的議案, 為日矽合體踏出重要一步.
日矽合組控股公司案, 上月底獲大陸商務部有條件放行, 包括保持日月光和矽品作為獨立競爭者的法人地位不變, 在二年內, 雙方只能獨立經營, 與合理價格, 不干預客戶選擇其他供應商等. 如未履行義務, 大陸商務部將根據反壟斷法相關規定做出處理.
3.聯電推出40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程 東芝的MCU將採用;
聯華電子今宣布, 該公司推出40奈米結合Silicon Storage Technology (SST) 嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體的製程平台. 新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶, 較量產的55奈米單元尺寸減少20% 以上, 並使整體記憶體面積縮小了20-30% . 東芝電子組件&存儲產品公司已開始評估其微處理器 (MCU) 晶片於聯電40奈米SST技術平台的適用性.
東芝電子組件&存儲產品公司混合訊號晶片部門副總松井俊也表示: 「我們期待採用聯電40奈米SST技術有助於提升我們MCU產品的性能. 與聯電合作, 透過穩定的製造供應及配合我們的生產需求提供靈活的產能, 亦將使我們能夠保持強勁的業務連續性計劃 (BCP) . 」
已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產, 包含了SIM卡, 金融交易, 汽車, 物聯網, MCU及其他應用產品.
聯華電子特殊技術組織協理丁文琪表示: 「自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來, 我們一直受到客戶的高度關注, 藉此製程平台所具有的低功耗, 高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性, 可用於汽車, 工業, 消費者和物聯網的應用. 我們很高興將這些產品進入大批量產, 並正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平台, 期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶. 」
聯電的分離式閘極記憶體單元SST製程, 依據JEDEC所制定的規範標準, 具100K耐久性和在85℃及工作溫度範圍為-40℃至125℃溫度下, 數據可保存10 年以上. CTIMES
4.提升產能利用率 聯電: 未來2年放緩擴產腳步
聯電共同總經理簡山傑19日表示, 聯電未來2年將不會積極擴產, 首要要務是強化財務結構及提高產能利用率; 市場看好聯電獲利表現將逐步提升, 有助未來營運表現.
簡山傑指出, 聯電未來 2 年發展將著重改善財務結構, 因此擴產腳步將會放緩, 待改善完畢後, 才會開始考慮擴充產能.
簡山傑強調, 雖然聯電放緩擴產, 不過台灣許多廠商仍會持續擴產, 因此就聯電角度而言, 不免擔憂電力供應穩定與否, 盼政府能在電力政策上有通盤考慮.
至於DRAM產業布局, 簡山傑認為, 聯電只是替大陸晉華開發DRAM技術, 並沒有打算跨足DRAM產業.
此外, 聯電董事會已經通過新台幣189.9億元資本預算執行案, 將同步擴增中國台灣及大陸兩岸晶圓廠產能. 今年整體資本支出預計17億美元, 低於去年的22億美元, 擴產計劃已轉趨緩和.
工商時報