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1.三星S9+跑分曝光 骁龙845多核性能直逼A11;
集微网消息, (罗明/文)最近关于三星新一代旗舰机S9的新闻开始增加了不少, 从最开始的外观保护套, 再到今天的搭载骁龙845处理器版本的三星S9+跑分曝光, 不难看出距离三星新一代旗舰机的发布日期不远了.
近日一款型号为三星SM-G965U1设备在GeekBench4上的曝光, 从三星以往设备的命名看, 应该是搭载6GB RAM的三星S9+了, GeenkBench4识别的芯片模组为SDM845, 不难看出就是高通的旗舰芯片骁龙845.
从跑分成绩看, 骁龙845单核跑分2422, 理所当然的远超骁龙835, 麒麟970, 以及猎户座8895, 终于赶上了苹果的A9处理器.
在多核跑分方面, 骁龙845总算可以扬眉吐气一把了, 8351的分数直接超越了A9X/A10, 性能直逼苹果的A11. 也许在下一代处理器, 我们或许能够见到高通与苹果在多核性能方面平起平坐了.
搭载如此强悍性能的高通骁龙845处理器加上三星品牌的号召力, 明年的三星S9还真是让人期待.
2.硅品明年资本支出1/4用于晋江设厂;
集微网消息, 硅品配合福建晋江设厂及先进封测产能扩增计划, 董事会昨 (20) 日通过明年资本支出将达192亿元新台币 , 为历来最大资本支出; 硅品董事会并订明年2月12日和日月光同步举行股东临时会, 为日硅合体踏出重要一步.
硅品表示, 明年资本支出金额大增, 主因很多新增购地款和厂房, 设备金额须在明年付款, 加上先进制程包括晶圆级尺寸封装 (WLCSP) , 扇出型封装 (Fan-Out) , 2.5D及3D IC等植晶凸块先进封测设备和产能扩增, 都需要大笔支出.
硅品强调, 192亿元中, 估计有四分之一将作为福建晋江厂新建案, 扣除这项投资案, 明年用在台湾的资本支出和往年相近.
硅品福建晋江厂, 座位于福建省晋江市集成电路产业园区土地, 单是购地金额即达4.7亿元, 这项计划主要配合联电晋华投资案,
厂房也位在晋华附近, 硅品设定投资为4,500万美元 (近新台币14亿元) , 未来将以存储器与逻辑晶片封测业务为主, 与目前苏州厂的业务不会互相冲突.
此外, 配合与日月光合组控股公司案上月底获大陆商务部通过, 硅品董事会订明年2月12日和日月光同步举行股东临时会, 讨论通过双方签署的 '共同转换股份协议' , '共同转换股份协议增补协议' 及股份转换的议案, 为日硅合体踏出重要一步.
日硅合组控股公司案, 上月底获大陆商务部有条件放行, 包括保持日月光和硅品作为独立竞争者的法人地位不变, 在二年内, 双方只能独立经营, 与合理价格, 不干预客户选择其他供应商等. 如未履行义务, 大陆商务部将根据反垄断法相关规定做出处理.
3.联电推出40奈米SST嵌入式闪存制程 东芝的MCU将采用;
联华电子今宣布, 该公司推出40奈米结合Silicon Storage Technology (SST) 嵌入式SuperFlash非挥发性内存的制程平台. 新推出的40nm奈米SST嵌入式快闪记忆, 较量产的55奈米单元尺寸减少20% 以上, 并使整体内存面积缩小了20-30% . 东芝电子组件&存储产品公司已开始评估其微处理器 (MCU) 芯片于联电40奈米SST技术平台的适用性.
东芝电子组件&存储产品公司混合信号芯片部门副总松井俊也表示: 「我们期待采用联电40奈米SST技术有助于提升我们MCU产品的性能. 与联电合作, 透过稳定的制造供应及配合我们的生产需求提供灵活的产能, 亦将使我们能够保持强劲的业务连续性计划 (BCP) . 」
已有超过20个客户和产品正以联电55奈米SST嵌入式闪存制程进行各阶段的生产, 包含了SIM卡, 金融交易, 汽车, 物联网, MCU及其他应用产品.
联华电子特殊技术组织协理丁文琪表示: 「自2015年提供55奈米SST嵌入式闪存成为主流技术以来, 我们一直受到客户的高度关注, 藉此制程平台所具有的低功耗, 高可靠度及卓越的数据保留和高耐久性的特性, 可用于汽车, 工业, 消费者和物联网的应用. 我们很高兴将这些产品进入大批量产, 并正努力将这嵌入式闪存解决方案扩展到40奈米的技术平台, 期待将SST的高速度和高可靠性优势带给东芝和其他晶圆专工客户. 」
联电的分离式闸极内存单元SST制程, 依据JEDEC所制定的规范标准, 具100K耐久性和在85℃及工作温度范围为-40℃至125℃温度下, 数据可保存10 年以上. CTIMES
4.提升产能利用率 联电: 未来2年放缓扩产脚步
联电共同总经理简山杰19日表示, 联电未来2年将不会积极扩产, 首要要务是强化财务结构及提高产能利用率; 市场看好联电获利表现将逐步提升, 有助未来营运表现.
简山杰指出, 联电未来 2 年发展将着重改善财务结构, 因此扩产脚步将会放缓, 待改善完毕后, 才会开始考虑扩充产能.
简山杰强调, 虽然联电放缓扩产, 不过台湾许多厂商仍会持续扩产, 因此就联电角度而言, 不免担忧电力供应稳定与否, 盼政府能在电力政策上有通盘考虑.
至于DRAM产业布局, 简山杰认为, 联电只是替大陆晋华开发DRAM技术, 并没有打算跨足DRAM产业.
此外, 联电董事会已经通过新台币189.9亿元资本预算执行案, 将同步扩增中国台湾及大陆两岸晶圆厂产能. 今年整体资本支出预计17亿美元, 低于去年的22亿美元, 扩产计划已转趋缓和.
工商时报