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1.紫光旗下展訊榮獲年度5G創新企業獎;
集微網消息, 萬物互聯的大潮越來越近, 而中國的通信行業在經曆了2G跟隨, 3G突破, 4G同步之後, 我們立志在即將到來的5G時代, 成為行業 '領跑者' , 不僅要追求產業和市場, 更要在標準和技術方面有自己的話語權, 提升國際地位.
紫光旗下展訊作為中國移動晶片設計的龍頭企業, 在5G研發上始終緊跟國家戰略及國際時間表. 從2015年初投入5G研發以來, 展訊已擁有專業的研發團隊, 在5G移動晶片技術創新上一路領先, 受到了國家和行業的肯定. 在12月19日, 2017中國通信產業大會暨第12屆中國通信技術年會上, 展訊憑藉其在5G技術上的創新貢獻, 榮獲2017年度通信產業金紫竹獎——5G創新企業獎.
展訊北京總經理王鵬 (右三) 上台領獎
中國通信產業大會是由中國電子資訊產業發展研究院和通信產業報主辦, 今年大會以 '大連接, 泛智能下的創新與挑戰' 為主題, 邀請行業專家人士協商未來, 共同迎接大連接時代. 大會為了表彰對2017年資訊通信業發展貢獻力量和智慧的產品, 人物和企業, 設置了通信產業金紫竹獎, 展訊憑藉自己5G成果, 從一眾優秀企業中脫穎而出, 榮獲年度5G創新企業獎.
5G進行時
在5G研發上, 展訊目前已處於國內領先地位, 在9月份由中國IMT-2020(5G)推進組織的中國5G技術研發第二階段技術方案驗證中, 成功完成了與華為5G原型基站的互操作對接測試 (IODT) . 此次成功對接展示了展訊在加速5G標準化及商用化進程上的標誌性成果.
展訊5G終端原型平台Piliot V2
此外, 展訊已實現最新的5G終端原型平台Pilot V2, 它支援5G靈活空口設計特性的新型終端基帶/射頻架構, 整合多核處理器, 高速訊號處理FPGA陣列, 支援Sub-6GHz頻段, 8*8MIMO和載波聚合, 並具備多元靈活可重配置能力, 可以滿足5G NR多場景下對高吞吐率, 低時延及靈活性的驗證需求, 為5G試驗及驗證提供終端樣機的解決方案.
5G未來時
展訊將持續投入5G創新技術的研發, 將於2018年推出第一款支援3GPP R15 5G標準的移動晶片. 同時展訊也將加強與合作夥伴的合作, 推動我國5G技術研發及標準的同步發展, 提升我國在全球通信領域的國際地位.
5G時代已經到來, 展訊會以創新為動力不斷突破, 以芯工匠精神為態度砥礪前行. 一個 '芯' 時代已經到來, 展訊整裝待發.
2.強強聯合, 新華三攜手紫光展銳發布新款IM2210-NB模組;
集微網消息, 近日, 紫光旗下新華三集團正式發布新款IM2210-NB模組. 據悉, 這款模組由紫光旗下展銳提供晶片, 新華三提供技術研發及產品攻關能力. 在具備區別於傳統模組超低睡眠功耗, 低頻寬, 長續航和廣覆蓋等特性的基礎上, 新款IM2210-NB還具備兩大極端優勢, 一是小尺寸, 二是中國芯.
首先, 在小尺寸方面, 新款 NB 模組採用了極小的產品尺寸, LCC 封裝為16*18*2.1mm. IM2210 NB-IoT模組採用了先進的高度整合設計方案, 將射頻, 基帶整合在一塊印刷電路板上, 完成無線接收, 發射, 基帶訊號處理和音頻訊號處理等多種功能, 並採用單面布局, 對外應用介面LCC PAD方式, 支援AT命令擴展, 可以實現用戶個性化定製方案.
同時, 小尺寸有兩個非常明顯的優勢: 一是可以內置於極小的智能終端產品裡, 適用於智能抄表, 智能停車, 智能樓宇, 智能家居等應用; 二是極大節省了布板面積, 更好應用於全行業.
其次, 在中國芯方面, 新款IM2210-NB模組由紫光展銳與新華三強強聯合, 搭載H3C Oasis OS輕量化物聯網作業系統, 力求打造全方位立體化安全防禦體系, 著重於晶片安全, 通信安全, 數據安全, 系統安全及應用安全. 此次打造的自研方案, 讓通信模組真正實現全國產化, 從最底層的晶片開始保護資訊安全, 推動物聯網行業的快速發展, 加速物聯網終端智能化.
值得注意的是, 新模組 IM2210-NB 的發布, 不僅順應工信部下發《工業和資訊化部辦公廳關於全面推進移動物聯網(NB-IoT)建設發展的通知》號召, 還響應了國家建設IPv6網路的政策, 將優先在政府, 教育, 金融, 互聯網, 廣電, 運營商行業服務客戶, 為迎接 '萬物互聯' 時代一起努力.
3.半導體所二維半導體的磁性摻雜研究取得進展
近年來, 二維範德華材料例如石墨烯, 二硫化鉬等由於其獨特的結構, 物理特性和光電性能而被廣泛研究. 在二維材料的研究領域中, 磁性二維材料具有更豐富的物理映像, 並在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用, 越來越受到人們的關注. 摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段, 如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子, 則這些材料可能在保持原有半導體光電特性的同時具有磁性. 近日, 中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗研究員魏鐘鳴, 李京波帶領的科研團隊, 在鐵摻雜二維硫化錫 (Fe-SnS2) 晶體的光, 電和磁性研究方面取得新進展.
硫化錫 (SnS2) 是一種光電性能優異的二維範德華半導體材料, 也是目前報道的光電響應時間最快的二維半導體材料之一. 該材料無毒, 環境友好, 含量較豐富而且易於製備. 該研究團隊通過用傳統的化學氣相輸運法摸索生長條件, 獲得不同摻雜濃度的高質量的Fe-SnS2單晶, 然後通過機械剝離法獲得二維Fe-SnS2納米片. 掃描透射電子顯微鏡 (STEM) 結果表明, Fe原子是替位摻雜在Sn原子的位置, 並且均勻分布. 通過生長條件的調控, 結合X射線光電子能譜 (XPS) 分析, 可以獲得一系列不同的晶體, 鐵的摻雜濃度分別為2.1%, 1.5%, 1.1%. 單層Fe0.021Sn0.979S2的場效應晶體管測試表明該材料是n型, 開關比超過106, 同時遷移率為8.15cm2V-1s-1, 光響應度為206mAW-1, 顯示了良好的光電性能.
單晶片磁性測試表明, SnS2是抗磁性的, Fe0.021Sn0.979S2和Fe0.015Sn0.985S2具有鐵磁性, 而Fe0.011Sn0.989S2則顯示出順磁性. 實驗測得Fe0.021Sn0.979S2的居裡溫度為31K. 當溫度為2K, 外磁場沿垂直c軸和平行c軸方向時可以獲得不一樣的磁性, 即強烈的磁各向異性. 理論計算表明, Fe-SnS2的磁性來源於Fe原子與相鄰S原子的反鐵磁耦合, 而相鄰Fe原子間是鐵磁耦合, 這樣在這種磁性原子摻雜材料中就形成了長程鐵磁性. 該研究表明鐵摻雜硫化錫在未來的納米電子學, 磁學和光電領域有潛在的應用.
相關研究成果發表在Nature Communications上. 研究工作得到中科院 '百人計劃' 和國家自然科學基金委優秀青年科學基金, 面上項目的資助.
半導體所二維半導體的磁性摻雜研究取得進展 中國科學院網站