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1.紫光旗下展讯荣获年度5G创新企业奖;
集微网消息, 万物互联的大潮越来越近, 而中国的通信行业在经历了2G跟随, 3G突破, 4G同步之后, 我们立志在即将到来的5G时代, 成为行业 '领跑者' , 不仅要追求产业和市场, 更要在标准和技术方面有自己的话语权, 提升国际地位.
紫光旗下展讯作为中国移动芯片设计的龙头企业, 在5G研发上始终紧跟国家战略及国际时间表. 从2015年初投入5G研发以来, 展讯已拥有专业的研发团队, 在5G移动芯片技术创新上一路领先, 受到了国家和行业的肯定. 在12月19日, 2017中国通信产业大会暨第12届中国通信技术年会上, 展讯凭借其在5G技术上的创新贡献, 荣获2017年度通信产业金紫竹奖——5G创新企业奖.
展讯北京总经理王鹏 (右三) 上台领奖
中国通信产业大会是由中国电子信息产业发展研究院和通信产业报主办, 今年大会以 '大连接, 泛智能下的创新与挑战' 为主题, 邀请行业专家人士协商未来, 共同迎接大连接时代. 大会为了表彰对2017年信息通信业发展贡献力量和智慧的产品, 人物和企业, 设置了通信产业金紫竹奖, 展讯凭借自己5G成果, 从一众优秀企业中脱颖而出, 荣获年度5G创新企业奖.
5G进行时
在5G研发上, 展讯目前已处于国内领先地位, 在9月份由中国IMT-2020(5G)推进组织的中国5G技术研发第二阶段技术方案验证中, 成功完成了与华为5G原型基站的互操作对接测试 (IODT) . 此次成功对接展示了展讯在加速5G标准化及商用化进程上的标志性成果.
展讯5G终端原型平台Piliot V2
此外, 展讯已实现最新的5G终端原型平台Pilot V2, 它支持5G灵活空口设计特性的新型终端基带/射频架构, 集成多核处理器, 高速信号处理FPGA阵列, 支持Sub-6GHz频段, 8*8MIMO和载波聚合, 并具备多元灵活可重配置能力, 可以满足5G NR多场景下对高吞吐率, 低时延及灵活性的验证需求, 为5G试验及验证提供终端样机的解决方案.
5G未来时
展讯将持续投入5G创新技术的研发, 将于2018年推出第一款支持3GPP R15 5G标准的移动芯片. 同时展讯也将加强与合作伙伴的合作, 推动我国5G技术研发及标准的同步发展, 提升我国在全球通信领域的国际地位.
5G时代已经到来, 展讯会以创新为动力不断突破, 以芯工匠精神为态度砥砺前行. 一个 '芯' 时代已经到来, 展讯整装待发.
2.强强联合, 新华三携手紫光展锐发布新款IM2210-NB模组;
集微网消息, 近日, 紫光旗下新华三集团正式发布新款IM2210-NB模组. 据悉, 这款模组由紫光旗下展锐提供芯片, 新华三提供技术研发及产品攻关能力. 在具备区别于传统模组超低睡眠功耗, 低带宽, 长续航和广覆盖等特性的基础上, 新款IM2210-NB还具备两大极端优势, 一是小尺寸, 二是中国芯.
首先, 在小尺寸方面, 新款 NB 模组采用了极小的产品尺寸, LCC 封装为16*18*2.1mm. IM2210 NB-IoT模块采用了先进的高度集成设计方案, 将射频, 基带集成在一块印刷电路板上, 完成无线接收, 发射, 基带信号处理和音频信号处理等多种功能, 并采用单面布局, 对外应用接口LCC PAD方式, 支持AT命令扩展, 可以实现用户个性化定制方案.
同时, 小尺寸有两个非常明显的优势: 一是可以内置于极小的智能终端产品里, 适用于智能抄表, 智能停车, 智能楼宇, 智能家居等应用; 二是极大节省了布板面积, 更好应用于全行业.
其次, 在中国芯方面, 新款IM2210-NB模组由紫光展锐与新华三强强联合, 搭载H3C Oasis OS轻量化物联网操作系统, 力求打造全方位立体化安全防御体系, 着重于芯片安全, 通信安全, 数据安全, 系统安全及应用安全. 此次打造的自研方案, 让通信模块真正实现全国产化, 从最底层的芯片开始保护信息安全, 推动物联网行业的快速发展, 加速物联网终端智能化.
值得注意的是, 新模组 IM2210-NB 的发布, 不仅顺应工信部下发《工业和信息化部办公厅关于全面推进移动物联网(NB-IoT)建设发展的通知》号召, 还响应了国家建设IPv6网络的政策, 将优先在政府, 教育, 金融, 互联网, 广电, 运营商行业服务客户, 为迎接 '万物互联' 时代一起努力.
3.半导体所二维半导体的磁性掺杂研究取得进展
近年来, 二维范德华材料例如石墨烯, 二硫化钼等由于其独特的结构, 物理特性和光电性能而被广泛研究. 在二维材料的研究领域中, 磁性二维材料具有更丰富的物理图像, 并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用, 越来越受到人们的关注. 掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段, 如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子, 则这些材料可能在保持原有半导体光电特性的同时具有磁性. 近日, 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验研究员魏钟鸣, 李京波带领的科研团队, 在铁掺杂二维硫化锡 (Fe-SnS2) 晶体的光, 电和磁性研究方面取得新进展.
硫化锡 (SnS2) 是一种光电性能优异的二维范德华半导体材料, 也是目前报道的光电响应时间最快的二维半导体材料之一. 该材料无毒, 环境友好, 含量较丰富而且易于制备. 该研究团队通过用传统的化学气相输运法摸索生长条件, 获得不同掺杂浓度的高质量的Fe-SnS2单晶, 然后通过机械剥离法获得二维Fe-SnS2纳米片. 扫描透射电子显微镜 (STEM) 结果表明, Fe原子是替位掺杂在Sn原子的位置, 并且均匀分布. 通过生长条件的调控, 结合X射线光电子能谱 (XPS) 分析, 可以获得一系列不同的晶体, 铁的掺杂浓度分别为2.1%, 1.5%, 1.1%. 单层Fe0.021Sn0.979S2的场效应晶体管测试表明该材料是n型, 开关比超过106, 同时迁移率为8.15cm2V-1s-1, 光响应度为206mAW-1, 显示了良好的光电性能.
单晶片磁性测试表明, SnS2是抗磁性的, Fe0.021Sn0.979S2和Fe0.015Sn0.985S2具有铁磁性, 而Fe0.011Sn0.989S2则显示出顺磁性. 实验测得Fe0.021Sn0.979S2的居里温度为31K. 当温度为2K, 外磁场沿垂直c轴和平行c轴方向时可以获得不一样的磁性, 即强烈的磁各向异性. 理论计算表明, Fe-SnS2的磁性来源于Fe原子与相邻S原子的反铁磁耦合, 而相邻Fe原子间是铁磁耦合, 这样在这种磁性原子掺杂材料中就形成了长程铁磁性. 该研究表明铁掺杂硫化锡在未来的纳米电子学, 磁学和光电领域有潜在的应用.
相关研究成果发表在Nature Communications上. 研究工作得到中科院 '百人计划' 和国家自然科学基金委优秀青年科学基金, 面上项目的资助.
半导体所二维半导体的磁性掺杂研究取得进展 中国科学院网站