GF FD-SOI制程将兵分两路进击 | 成都厂着重物联网, 5G

每台汽车内部高达数百颗IC芯片, 成为德国半导体产业的绝佳施力点, 全球第二大晶圆代工厂GlobalFoundries(GF)位于德国德勒斯登(Dresden)12吋厂, 扮演28纳米polySion/HKMG和22纳米FD-SOI技术的发展重镇, 未来将锁定车用电子全力布局, 目前已经与汽车电子零组件供应商博世(Bosch)策略合作. GF德勒斯登厂前身是超微(AMD)晶圆厂(1996~2009年), 目前已发展到5座晶圆厂, 是欧洲最大的12吋晶圆厂. 翻开近几年GF制程技术蓝图, 从28纳米polySion/HKMG制程开始, 分别针对不同应用市场, 朝22及12纳米FD-SOI制程, 14LPP/12LP/7LP FinFET制程布局. GF德勒斯登厂22纳米FD-SOI技术已小量生产, 预计2018年下半22和28纳米的良率将黄金交叉, 驱动22纳米FD-SOI技术快速导入应用端. 近年来半导体在产品应用及技术走向出现重大转变, 智能手机接棒PC时代后, 目前成长性也开始展露疲态, 促使半导体大厂积极寻找其他应用商机, 包括车用电子, 物联网(IoT), 5G等. GF副总裁Thomas Morgenstern分析, 摩尔定律一路从90, 65, 40纳米发展至今, 28纳米世代是个关键分水岭, 因为再往下微缩带来的成本效益明显递减, 往下朝20, 16/14纳米在技术上是可行的, 但电晶体成本下降速度却大幅减缓, 因此, FD-SOI技术会是另一个延续摩尔定律的道路. GF技术蓝图朝两大方向布局, FinFET制程专注在高速运算技术, 应用包括传感器, 绘图卡, 高端手机处理器(AP), 网通, 车用高端ADAS等; FD-SOI技术则专攻无线通讯, 包括中低阶AP, 物联网, 车用电子, 手机照相机等, 特色是低功耗, 性价比高, RF效能, 以及嵌入式存储器技术. Morgenstern过去曾在英飞凌和奇梦达(Qimonda)德勒斯登厂工作, 也曾在博世负责半导体和传感器厂, 相当熟识汽车零组件制造领域, 2017年重新加入GF德勒斯登厂的行列, 预期未来该厂在车用电子半导体芯片的生产策略和客户合作关系, 将进入新的里程碑. GF认为, 22纳米FD-SOI制程效能相当于14纳米, 但成本与28纳米相当, 是28纳米制程应用的延续, 而12纳米制程效能则相当于10纳米, 成本与16纳米制程相当. 目前GF的FD-SOI制程重镇是德勒斯登厂, 2018年开始转移到大陆成都12吋厂, 未来两边都会生产FD-SOI制程, 也是基于客户需求希望分散生产地点, 德勒斯登厂的定位偏向汽车电子芯片, 支持欧洲客户需求, 成都厂则是着重于大陆物联网, 5G等相关技术. GF成都厂是与大陆成都市政府合资成立, 第一阶段导入新加坡厂的0.18/0.13微米制程, 2019年下半开始转移22纳米FD-SOI制程技术, 规划年产能100万片, 同时投资1亿美元成立FDX FD-SOI设计服务中心, 建立EDA/IP生态系统供应链, 预计招揽500名工程人员.

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