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1.中國反壟斷調查或推遲東芝記憶體晶片業務出售的完成時間;
集微網消息, 繼西部數據與東芝就記憶體晶片業務的併購案達成和解後, 《日經亞洲評論》報道指出, 中國監管機構也開啟了對這一併購展開反壟斷調查, 預計併購案的完成時間還將推遲一段時間.
為解決西屋電氣63億美元資產減記給公司帶來的資金緊張問題, 東芝今年9月28日與貝恩資本財團正式簽署協議, 將晶片業務部門以180億美元出售給後者, 這一交易預計明年3月完成.
評論指出, 這一交易目前已經獲得美國, 日本監管機構批准, 尚需獲得中國大陸, 中國台灣地區和韓國監管機構的批准. 雖然本周, 東芝與西部數據終於握手言和, 但仍然需要過股東和監管機構的兩關, 才能完成向貝恩資本財團出售記憶體晶片業務的交易.
其實在本月初, 中國監管機構就啟動了對東芝出售記憶體晶片業務交易的審批工作. 今年9月, 在與貝恩資本及其合作夥伴達成交易後, 東芝就向中國監管機構提交了審批材料. 評論指出, 中國監管機構對這類併購交易的審批通常需要約4個月, 有時會延長至6個月, 這給東芝能否按計劃在明年3月完成交易增添了變數.
因美國核電事業投資案嚴重虧損, 東芝陷入資不抵債的困境, 如果明年三月底前未能解決資不抵債, 將面臨摘牌下市的危險. 東芝美國分部發言人並未就此發表評論.
2.東芝WD終和解 TMC重新出發;
東芝(Toshiba)與西數(WD)的NAND快快閃記憶體儲器事業風波, 從2017年2月14日東芝宣布將其NAND快快閃記憶體儲器事業出售, 5月14日西數談判不成提出國際仲裁, 至12月13日, 雙方終於公開宣告和解, 讓事件落幕, 東芝存儲器(TMC)可以繼續籌備出售事宜. 日本經濟新聞(Nikkei)網站報導此事時, 認為事件起因其實是西數CEO, Stephen Milligan的誤解. 東芝與新帝(SanDisk)的合作談判, 始於1999年, 以東芝出資51%, 新帝出資49%的比例, 建設四日市工廠, Stephen Milligan看到出資比例認為雙方是對等關係, 所以在購併新帝後, 去視察四日市工廠時, 據日經轉述東芝方面人員的說法, 還為工廠沒有新帝商標而不高興. 實際上, 四日市工廠中, 東芝的職員有6,200人, 新帝只有700人, 雙方的對等僅體現在生產半導體的分配比例這種權利, 土地人員以及工廠經營, 都由東芝單方麵包辦, 如果雙方拆夥, 東芝只要有資金, 照樣還能經營發展四日市工廠, 新帝與西數方面的人力便遠遠不足, 因此東芝只把西數當成出資者. 而東芝因核能事業的問題, 導致資不抵債時, 是被銀行團逼迫出售NAND快快閃記憶體儲器事業, 當時開出的2兆日圓(約178億美元)價格, 是還清債務的底限, 實際上事業價值應該更高; 因此西數開出1.3兆日圓價碼, 就算東芝肯妥協, 銀行團也不會放手, 這就註定雙方對立. 當西數提出國際仲裁時, 乍看之下態勢似乎對西數有利, 因為東芝有2018年3月底以前完成交易的時間壓力; 但對西數而言, 其實他們也有時間限制, 因為最新的3D NAND快快閃記憶體儲器投資才剛展開, 西數這時與東芝對立, 就意味無法參與3D NAND快快閃記憶體儲器投資與量產, 未來無法分配到最新技術產品. 西數主力的硬碟事業, 市場逐步被NAND快快閃記憶體儲器相關的SSD等產品侵蝕, 對西數而言, 他們需要NAND快快閃記憶體儲器, 才能維持在儲存設備市場上的地位, 甚至是公司的存在, 這時喪失最新技術產品, 對公司打擊相當大. 而且, 西數與東芝的合作, 將從2021年起陸續到期, 國際仲裁估計要在2019~2020年之間才會有結論, 不管屆時結論如何, 西數與東芝合作可說都告尾聲, 新帝人員數量上又不足以經營全新的NAND快快閃記憶體儲器生產線, 可說沒有勝算. 因此, 現在雙方和解, 並把合作時限延長到2027~2029年, 對雙方而言, 都可說是至少沒輸的局面. 只是, 要如何對抗在這段時間內持續擴大NAND快快閃記憶體儲器市場市佔率的三星電子(Samsung Electronics), 仍難樂觀. DIGITIMES
3.研調: 預計2017年DRAM市場銷售額增長74% 至720億美元;
集微網消息 (編譯/丹陽) 縱觀2017年, 隨著數據中心, 伺服器, 智能手機和其他移動產品對DRAM需求不斷提升, DRAM產能供不應求, 平均售價也在持續上漲. 如圖1所示, IC Insights預計2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的曆史最好成績, 與2016年第四季度的128億美元相比增長65%.
IC Insights預計2017年全年DRAM的銷售額將達720億美元, 年增長率達74%. 這是自1993年 (1994年的年增長率為78%) 以來的曆史最好成績, 同時比1993-2017年的13%的年平均增長率高了61個百分點, 這也是自1993年以來銷售額第四次超過50%, 上一次年增長率達到67%的時間要追溯至2010年.
總結來看, IC Insights指出DRAM增長速度接近曆史高點的原因在於: ①主要晶圓廠的擴產計劃, 跟不上市場需求速度導致供不應求; ② ≤20nm先進位程的產品仍存在良率問題; ③遊戲系統和數據中心等市場對高性能 (圖形) DRAM 的需求不斷增多; ④每一部智能手機的DRAM容量在不斷增加.
我們看到, 虛擬現實和增強現實, 以及人工智慧將成為智能手機下一輪應用的突破點, 高端智能手機中的DRAM容量有可能繼續增加. 同時, 在一些發展中國家, 經曆從功能機到智能機的過渡期, DRAM也將從無搭載升至1GB容量.
從曆史發展來看, DRAM不可能一路漲到底, 未來1-2年隨著價格的不斷上漲和產能擴增, DRAM年增長率有可能再次下滑. 從三星和SK海力士在2017年下半年的公告可見, 隨著新產能的陸續開出, 將緩解DRAM平均售價的上漲趨勢. 三星2017年在半導體資本將達到前所未有的260億美元, SK海力士則在無錫計劃新增一條生產線. 日前, 美光和英特爾宣布, 其IM Flash B60晶圓廠的擴建工作已經完成, 未來主要負責3D XPoint存儲器的生產, 但距離實際投產還有一段時間.
4.南亞科: 明年DRAM市場穩健, Q1供貨仍吃緊;
今年DRAM市場強勁成長, 南亞科技(2408)預期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續吃緊, DRAM平均銷售單價走勢穩健; 展望2018, 預期明年整體DRAM市場供需均衡且健康, 市場將持續維持穩健.
隨著人工智慧, 物聯網, 智能汽車, 高速運算等應用, 促進半導體產業更多元發展, DRAM成為電子產品的關鍵組件, 帶動今年記憶體市場強勁成長逾50%.
展望2018年, 南亞科預期DRAM資本支出主要用於先進位程轉換及維持原有月產能, DRAM位年成長率在20%~25%, 預估2018年需求將較2017年成長23%, 預期2018年DRAM市場將持續維持穩健的態勢.
2017年全球半導體市場預計大幅成長20%, 規模達4,111億美元, 記憶體市場年成長更高達57%, 規模達1,260億美元, 2017年記憶體市場營收佔半導體市場31%.
記憶體市場於2017年突破1200億美元規模, 預估2017年DRAM市場成長率67%, 產值685億美元, 預估2017年NAND Flash市場成長率51%, 產值535億美元, DRAM加NAND占記憶體市場總產值97%.
就記憶體產業資本支出來看, NAND資本支出持續大幅提升, 以作為擴充3D NAND產能所需, 相對而言, DRAM資本支出主要用於先進位程轉換及維持原有月產能; 南亞科預估, 2018年DRAM位年成長率20%~25%, 2018年下半起將有新增DRAM產能投入量產, NAND位年成長率則達40%~45% ; 預估2018年全球DRAM平均月產能將由2017年113.3萬片微幅提升至2018年121萬片, 預期2018年DRAM市場供需均衡且健康. 工商時報
5.西部數據96層3D NAND已開始交貨, 加速2D3D產線轉換
就在西部數據 (Western Digital ) 與日本半導體大廠東芝 (Toshiba) 就出售半導體部門, 給予貝恩資本 (Bain Capital) 所領軍的美日韓聯盟一事達成和解之後, 日前西部數據召開會議, 主要討論關於與東芝合作的各項協議細則. 另外, 還提出 NAND 快快閃記憶體儲器的生產計劃, 並宣布開始將 96 層堆疊的 3D NAND 快快閃記憶體儲器交付零售商銷售.
在會議上, 西部數據報告了採用BiCS3和BiCS4 等3D NAND快快閃記憶體儲器的生產狀況. 由於 BiCS3 技術所生產的 3D NAND 快快閃記憶體儲器, 最大堆疊數目只能到 64 層堆疊, 而 BiCS4 技術所生產的 3D NAND 快快閃記憶體儲器, 其最大堆疊數目可達到 96 層堆疊, 容量足足增加 50%, 顯示在單位面積內容納更多的存儲器, 所以也獲得各家業者的重視.
而事實上, 之前西部數據就已經訂定過一個目標, 希望 2017 年採用 BiCS3 技術生產的 64 層 3D NAND 快快閃記憶體儲器, 要達到佔西部數據 3D NAND 快快閃記憶體儲器總產量的 75%. 不過, 現在這個數字有望能提升到 90% 以上. 只是, 西部數據的快快閃記憶體儲器類型還沒完全從 2D NAND 轉換成 3D NAND, 現在 3D NAND 快快閃記憶體儲器的產量的只佔西部數據總產量的 65%. 換言之, 西部數據所生產的所有快快閃記憶體儲器中還有 1/3 為 2D NAND 快快閃記憶體儲器.
另外, 本月 12 號, 西部數據也宣布採用 BiCS4 技術的 96 層 3D NAND 快快閃記憶體儲器已經出貨給零售商. 而且, 不只提供當前的 TLC 主流類型, 還提供更先進的 QLC 類型. 雖然在使用上, TLC 類型與 QLC 類型的 3D NAND 快快閃記憶體儲器並沒有任何的區別, 但卻能提供更高的可靠性與效能. 而此次西部數據出貨給零售商, 採用 BiCS4 技術的 96 層 3D NAND 快快閃記憶體儲器, 不論 TLC 類型或 QLC 類型包含 256Gb 和 512Gb 兩種規格, 但是採用 BiCS4 技術的 QLC 的存儲器還可以有 768Gb 甚至 1Tb 這兩種規格.
西部數據表示, 從 2D NAND 製程轉向 3D NAND 製程過程非常繁瑣, 他們也認為這個計劃的執行時間比原定時間延遲了大約 6 個月的時間. 不過, 未來預計從 2D NAND 快快閃記憶體儲器徹底轉向 3D 快快閃記憶體儲器的過程將不會用太長時間. 如此才比較符合西部數據的營運效益, 並且應付當前短缺的 3D NAND 快快閃記憶體儲器市場需求. TechNews