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1.中国反垄断调查或推迟东芝内存芯片业务出售的完成时间;
集微网消息, 继西部数据与东芝就内存芯片业务的并购案达成和解后, 《日经亚洲评论》报道指出, 中国监管机构也开启了对这一并购展开反垄断调查, 预计并购案的完成时间还将推迟一段时间.
为解决西屋电气63亿美元资产减记给公司带来的资金紧张问题, 东芝今年9月28日与贝恩资本财团正式签署协议, 将芯片业务部门以180亿美元出售给后者, 这一交易预计明年3月完成.
评论指出, 这一交易目前已经获得美国, 日本监管机构批准, 尚需获得中国大陆, 中国台湾地区和韩国监管机构的批准. 虽然本周, 东芝与西部数据终于握手言和, 但仍然需要过股东和监管机构的两关, 才能完成向贝恩资本财团出售内存芯片业务的交易.
其实在本月初, 中国监管机构就启动了对东芝出售内存芯片业务交易的审批工作. 今年9月, 在与贝恩资本及其合作伙伴达成交易后, 东芝就向中国监管机构提交了审批材料. 评论指出, 中国监管机构对这类并购交易的审批通常需要约4个月, 有时会延长至6个月, 这给东芝能否按计划在明年3月完成交易增添了变数.
因美国核电事业投资案严重亏损, 东芝陷入资不抵债的困境, 如果明年三月底前未能解决资不抵债, 将面临摘牌下市的危险. 东芝美国分部发言人并未就此发表评论.
2.东芝WD终和解 TMC重新出发;
东芝(Toshiba)与西数(WD)的NAND快闪存储器事业风波, 从2017年2月14日东芝宣布将其NAND快闪存储器事业出售, 5月14日西数谈判不成提出国际仲裁, 至12月13日, 双方终于公开宣告和解, 让事件落幕, 东芝存储器(TMC)可以继续筹备出售事宜. 日本经济新闻(Nikkei)网站报导此事时, 认为事件起因其实是西数CEO, Stephen Milligan的误解. 东芝与新帝(SanDisk)的合作谈判, 始于1999年, 以东芝出资51%, 新帝出资49%的比例, 建设四日市工厂, Stephen Milligan看到出资比例认为双方是对等关系, 所以在购并新帝后, 去视察四日市工厂时, 据日经转述东芝方面人员的说法, 还为工厂没有新帝商标而不高兴. 实际上, 四日市工厂中, 东芝的职员有6,200人, 新帝只有700人, 双方的对等仅体现在生产半导体的分配比例这种权利, 土地人员以及工厂经营, 都由东芝单方面包办, 如果双方拆伙, 东芝只要有资金, 照样还能经营发展四日市工厂, 新帝与西数方面的人力便远远不足, 因此东芝只把西数当成出资者. 而东芝因核能事业的问题, 导致资不抵债时, 是被银行团逼迫出售NAND快闪存储器事业, 当时开出的2兆日圆(约178亿美元)价格, 是还清债务的底限, 实际上事业价值应该更高; 因此西数开出1.3兆日圆价码, 就算东芝肯妥协, 银行团也不会放手, 这就注定双方对立. 当西数提出国际仲裁时, 乍看之下态势似乎对西数有利, 因为东芝有2018年3月底以前完成交易的时间压力; 但对西数而言, 其实他们也有时间限制, 因为最新的3D NAND快闪存储器投资才刚展开, 西数这时与东芝对立, 就意味无法参与3D NAND快闪存储器投资与量产, 未来无法分配到最新技术产品. 西数主力的硬碟事业, 市场逐步被NAND快闪存储器相关的SSD等产品侵蚀, 对西数而言, 他们需要NAND快闪存储器, 才能维持在储存设备市场上的地位, 甚至是公司的存在, 这时丧失最新技术产品, 对公司打击相当大. 而且, 西数与东芝的合作, 将从2021年起陆续到期, 国际仲裁估计要在2019~2020年之间才会有结论, 不管届时结论如何, 西数与东芝合作可说都告尾声, 新帝人员数量上又不足以经营全新的NAND快闪存储器生产线, 可说没有胜算. 因此, 现在双方和解, 并把合作时限延长到2027~2029年, 对双方而言, 都可说是至少没输的局面. 只是, 要如何对抗在这段时间内持续扩大NAND快闪存储器市场市占率的三星电子(Samsung Electronics), 仍难乐观. DIGITIMES
3.研调: 预计2017年DRAM市场销售额增长74% 至720亿美元;
集微网消息 (编译/丹阳) 纵观2017年, 随着数据中心, 服务器, 智能手机和其他移动产品对DRAM需求不断提升, DRAM产能供不应求, 平均售价也在持续上涨. 如图1所示, IC Insights预计2017年第四季度DRAM销售额将增至211亿美元的历史最好成绩, 与2016年第四季度的128亿美元相比增长65%.
IC Insights预计2017年全年DRAM的销售额将达720亿美元, 年增长率达74%. 这是自1993年 (1994年的年增长率为78%) 以来的历史最好成绩, 同时比1993-2017年的13%的年平均增长率高了61个百分点, 这也是自1993年以来销售额第四次超过50%, 上一次年增长率达到67%的时间要追溯至2010年.
总结来看, IC Insights指出DRAM增长速度接近历史高点的原因在于: ①主要晶圆厂的扩产计划, 跟不上市场需求速度导致供不应求; ② ≤20nm先进制程的产品仍存在良率问题; ③游戏系统和数据中心等市场对高性能 (图形) DRAM 的需求不断增多; ④每一部智能手机的DRAM容量在不断增加.
我们看到, 虚拟现实和增强现实, 以及人工智能将成为智能手机下一轮应用的突破点, 高端智能手机中的DRAM容量有可能继续增加. 同时, 在一些发展中国家, 经历从功能机到智能机的过渡期, DRAM也将从无搭载升至1GB容量.
从历史发展来看, DRAM不可能一路涨到底, 未来1-2年随着价格的不断上涨和产能扩增, DRAM年增长率有可能再次下滑. 从三星和SK海力士在2017年下半年的公告可见, 随着新产能的陆续开出, 将缓解DRAM平均售价的上涨趋势. 三星2017年在半导体资本将达到前所未有的260亿美元, SK海力士则在无锡计划新增一条生产线. 日前, 美光和英特尔宣布, 其IM Flash B60晶圆厂的扩建工作已经完成, 未来主要负责3D XPoint存储器的生产, 但距离实际投产还有一段时间.
4.南亚科: 明年DRAM市场稳健, Q1供货仍吃紧;
今年DRAM市场强劲成长, 南亚科技(2408)预期2017年第四季及2018年第一季供货将持续吃紧, DRAM平均销售单价走势稳健; 展望2018, 预期明年整体DRAM市场供需均衡且健康, 市场将持续维持稳健.
随着人工智能, 物联网, 智能汽车, 高速运算等应用, 促进半导体产业更多元发展, DRAM成为电子产品的关键组件, 带动今年内存市场强劲成长逾50%.
展望2018年, 南亚科预期DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能, DRAM位年成长率在20%~25%, 预估2018年需求将较2017年成长23%, 预期2018年DRAM市场将持续维持稳健的态势.
2017年全球半导体市场预计大幅成长20%, 规模达4,111亿美元, 内存市场年成长更高达57%, 规模达1,260亿美元, 2017年内存市场营收占半导体市场31%.
内存市场于2017年突破1200亿美元规模, 预估2017年DRAM市场成长率67%, 产值685亿美元, 预估2017年NAND Flash市场成长率51%, 产值535亿美元, DRAM加NAND占内存市场总产值97%.
就内存产业资本支出来看, NAND资本支出持续大幅提升, 以作为扩充3D NAND产能所需, 相对而言, DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能; 南亚科预估, 2018年DRAM位年成长率20%~25%, 2018年下半起将有新增DRAM产能投入量产, NAND位年成长率则达40%~45% ; 预估2018年全球DRAM平均月产能将由2017年113.3万片微幅提升至2018年121万片, 预期2018年DRAM市场供需均衡且健康. 工商时报
5.西部数据96层3D NAND已开始交货, 加速2D3D产线转换
就在西部数据 (Western Digital ) 与日本半导体大厂东芝 (Toshiba) 就出售半导体部门, 给予贝恩资本 (Bain Capital) 所领军的美日韩联盟一事达成和解之后, 日前西部数据召开会议, 主要讨论关于与东芝合作的各项协议细则. 另外, 还提出 NAND 快闪存储器的生产计划, 并宣布开始将 96 层堆叠的 3D NAND 快闪存储器交付零售商销售.
在会议上, 西部数据报告了采用BiCS3和BiCS4 等3D NAND快闪存储器的生产状况. 由于 BiCS3 技术所生产的 3D NAND 快闪存储器, 最大堆叠数目只能到 64 层堆叠, 而 BiCS4 技术所生产的 3D NAND 快闪存储器, 其最大堆叠数目可达到 96 层堆叠, 容量足足增加 50%, 显示在单位面积内容纳更多的存储器, 所以也获得各家业者的重视.
而事实上, 之前西部数据就已经订定过一个目标, 希望 2017 年采用 BiCS3 技术生产的 64 层 3D NAND 快闪存储器, 要达到占西部数据 3D NAND 快闪存储器总产量的 75%. 不过, 现在这个数字有望能提升到 90% 以上. 只是, 西部数据的快闪存储器类型还没完全从 2D NAND 转换成 3D NAND, 现在 3D NAND 快闪存储器的产量的只占西部数据总产量的 65%. 换言之, 西部数据所生产的所有快闪存储器中还有 1/3 为 2D NAND 快闪存储器.
另外, 本月 12 号, 西部数据也宣布采用 BiCS4 技术的 96 层 3D NAND 快闪存储器已经出货给零售商. 而且, 不只提供当前的 TLC 主流类型, 还提供更先进的 QLC 类型. 虽然在使用上, TLC 类型与 QLC 类型的 3D NAND 快闪存储器并没有任何的区别, 但却能提供更高的可靠性与效能. 而此次西部数据出货给零售商, 采用 BiCS4 技术的 96 层 3D NAND 快闪存储器, 不论 TLC 类型或 QLC 类型包含 256Gb 和 512Gb 两种规格, 但是采用 BiCS4 技术的 QLC 的存储器还可以有 768Gb 甚至 1Tb 这两种规格.
西部数据表示, 从 2D NAND 制程转向 3D NAND 制程过程非常繁琐, 他们也认为这个计划的执行时间比原定时间延迟了大约 6 个月的时间. 不过, 未来预计从 2D NAND 快闪存储器彻底转向 3D 快闪存储器的过程将不会用太长时间. 如此才比较符合西部数据的营运效益, 并且应付当前短缺的 3D NAND 快闪存储器市场需求. TechNews