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1.摩根士丹利: 七個利好加持, 明年中芯國際表現更優;
集微網消息, 近日摩根士丹利 (大摩) 發布了對中芯國際的研究報告, 並將中芯股票評級定為看好, 直到價格上修至13.5港幣. 預計中芯的布局重點將包括:持續追趕先進工藝, 實施差異化策略, 啟動產能擴張, 跨界整合後段封測等. 大摩看好中芯未來一年發展基於如下7個因素的考慮:
1.未來增長基於目前的資本/研發支出: 中芯國際表示, 其未來戰略是在投資和盈利能力之間取得平衡. 大摩認為這可能是一個極具挑戰的任務. 但是如果中芯放慢研發速度, 未來就可能錯失成為領先代工廠的機會. 因此, 儘管今年中芯的產能利用率較低, 但其並沒有削減研發經費. 就資本支出而言, 中芯可能在先進工藝放慢採用合資經營模式, 這將有助於減輕資本支出負擔, 同時保證技術遷移路線. 該公司目標是在2020年量產14nm工藝.
中芯國際的晶圓產能中, 2017年第三季度為44.795萬片, 環比增長2.2%, 產能利用率2017年第三季度為84%, 而去年同期為97.2%, 可能也與產能擴張過快的因素有關. 在產能擴張方面, 除內在的動力, 如企業自身實力的增強, 產能利用率的上揚, 中國境內客戶的銷售額比重已達50%外, 外部壓力也確實使中芯國際面臨持續擴張產能的必要性, 特別是必須縮短與國際大廠間的產能差距, 同時考慮中國半導體業向上衝刺的態勢, 中芯國際必須扮演中國整合電路製造業的領頭羊.
2.渡過短暫的低穀: 指紋業務下滑是今年產能利用率較低的主要原因之一. 不過現在訂單又開始陸續回到中芯了, 預計一家關鍵指紋客戶直到下個季度的連續增長為中芯的營收帶來助益. NOR Flash是今年另一個高速增長的領域.
3.加強28nm工藝: 中芯預計到在四季度有所下滑, 而28nm的營收貢獻比例將提升. 據中芯介紹, 其第四季度28nm營收比例將超過10%, 主要來自PolySION. 該公司承認2018年可能需要關注28nm良率的提升, 雖然目前技術已經可以滿足關鍵客戶對產量和性能的要求. 中芯計劃在2018年下半年加速HKMG投產.
28nm和40nm是中芯的重點產品, 不過該公司的28nm HKMG工藝良率不達預期, 目前為40%左右, 但市場分析人士普遍認為梁孟松的加入將迅速改良28nm的工藝技術, 而且該公司也在研發自有的14nm工藝技術, 在這一塊梁孟松在三星有過類似的曆史, 或可能扭轉中芯國際的競爭力.
4.募集資金用於中期增長和投資者合作: 11月29日, 中芯宣布發行權益和可轉換債券計劃, 如果大唐和大基金各自行使優先購買權, 募集資金總額將達9.69億美元. 該計劃是利用這些收益來進行中期業務發展中, 並與戰略投資者 (如兆易創新) 建立更緊密的合作關係. 目前中芯手頭現金約10億美元, 年運營現金流20億美元. 兆易創新, 大基金和大唐將一起認購超過70%的資金.
就目前完成情況來看, 兆易創新出資7000萬美元認購配售股份, 大基金有意認購本金總額最高為3億美元的股份; 而大唐則認購本金總額為2億美元.
5.梁孟松博士加盟帶來了超越技術發展之外的好處: 梁孟松帶來了其在先進工藝開發方面的專業技術, 中芯表示這將幫助公司14nm的開發順利進行. 與此同時, 梁孟松在先進代工方面的經驗也將加強晶圓廠的運營管理工作, 提高公司內部的整體效率.
6.代工業的整合: 中芯表示可能需要一段時間才能看到中國代工行業的整合, 在後緣技術供過於求之前. 但是, 中芯相信其技術產品和客戶組合優於中國同行. 這與大摩的觀點相一致, 即從現在到2019年, 28nm不會出現供過於求的狀況.
目前中國12寸晶圓廠共有22座, 其中在建11座, 8寸晶圓廠18座, 在建5座, 部分將新廠將陸續於2018年進入量產階段, 特別是2018年將是中國記憶體製造從無到有的關鍵年度, 因此預計2018年中國代工產業產值年增率預估將達19%, 增幅仍維持於高速成長階段.
7.關於NOR Flash市場: 鑒於兆易創新已經保證了良好的定價和不可撤銷的價值1億美元以上的訂單, 中芯對明年NOR Flash市場持樂觀態度. 利潤率處於企業平均水平, 好於當前28nm的利潤率. 大摩的觀點也是NOR Flash的價格在明年上半年將保持穩定.
9月時, 兆易創新就與中芯國際簽署約人民幣12億元的採購戰略合作協議. 背景是基於今年矽晶圓供貨十分吃緊, 但NOR Flash晶片需求增溫且持續供不應求, 朝以創新和中芯國際的合約可獲得穩定的產能保障, 這次再認購中芯配售的股份入股中芯, 象徵雙方的合作更進一步, 可以發展多層次的戰略合作關係, 成為更堅定的合作夥伴.
除此之外, 在跨界整合後段封測方面, 現在的代工製造商均須有跨界後到封裝的能力, 來進行2.5D-3D的整合, 而此部分台積電已走在前列, 中芯國際更不甘落後, 已與長電科技合資在江陰成立中芯長電.
基於此, 摩根士丹利對中芯股票給出了13.5港幣的目標價格, 當然也面臨著幾個風險, 包括中國需求放緩; 庫存修正; 嚴重的價格競爭等.
2.中芯國際: 國家大基金認購可換股證券最多3億美元;
集微網消息, 12月15日, 中芯國際發布公告, 就發行配售股份及獲配售永久次級可換股證券, 國家整合電路基金優先認購事項及國家整合電路基金額外認購事項而言, 並根據大唐購買協議, 大唐已向公司交付通知, 知會其將行使有關發行配售股份, 獲配售永久次級可換股證券, 國家整合電路基金優先認購事項及國家整合電路基金額外認購事項的優先認購權, 數額最高為其根據大唐購買協議應得的配額, 其中國家整合電路基金及大唐認購可換股證券合計最多為5億美元.
據披露, 大唐已通知中芯國際, 其有意認購大唐額外永久次級可換股證券, 本金總額(就大唐額外永久次級可換股證券及大唐優先永久次級可換股證券而言)為2億美元.
國家整合電路基金亦已通知中芯國際, 其有意認購國家整合電路基金額外永久次級可換股證券, 本金總額(就國家整合電路基金額外永久次級可換股證券及國家整合電路基金優先永久次級可換股證券而言)最高為3億美元.
此前, 在11月28日, 中芯國際以每股10.65港幣為發行價 (折價率4.9%) 順利完成新股增發, 募集資金4.91億美元 (含大股東優先認購及公開市場發行) . 同時, 以轉股價溢價率20%, 年化票息率2%成功完成次級永續可轉換債券定價發行, 公司擁有3年後股價超過轉股價130%強制回購權, 募集資金4.81億美元 (含大股東優先認購, 超額認購以及公開市場發行) .
中芯國際表示, 此次融資在全球資本市場反響熱烈, 眾多國際著名投資機構踴躍參與了股票與永續可轉換債券的認購. 這次權益類組合融資交易創下了境外資本市場的多項第一: 這是香港市場迄今為止最大規模的股票和股票關聯產品同步發行, 其中股票增發部分是港交所迄今最大規模的科技股一級市場增發, 4.9%的增發折價也是2017年年初至今, 香港市場一級市場股票增發所實現的最低折價水平. 同時, 中芯國際也是近五年唯一一家在亞太地區發行無票息跳升, 無票息重置結構永續可轉債券的企業, 且永續可轉債券票面利率為迄今以來全亞太地區最低水平.
本次融資得到了中芯國際主要股東方的大力支援, 大唐控股, 國家整合電路產業基金均積极參与了本輪融資, 在行使其優先認購權的基礎上, 還將超額認購本次發行的永續可轉債券, 充分體現了主要股東方對中芯國際發展的戰略性支援.
此外, 就發行配售股份及獲配售永久次級可換股證券, 大唐優先認購事項, 大唐額外認購事項, 國家整合電路基金優先認購事項及國家整合電路基金額外認購事項而言, 於公告日期, Country Hill仍未對該通知作出回應. 根據Country Hill認購協議, Country Hill被視為選擇不行使其有關Country Hill優先證券的優先認購權.
3.北方華創收到中關村科技園補助1016萬元;
集微網消息, 北方華創12月15日早間公告, 根據相關規定, 公司符合中關村科技園區電子城科技園管理委員會的扶持政策, 於2017年12月13日收到中關村科技園區管理委員會轉入的 '應用於整合電路領域的 300mm 合金爐設備研發項目' 補助資金1,016萬元.
公司稱, 本次收到的政府補助, 預計將會增加公司 2017 年度利潤總額 1016 萬元.
12月5日, 由北方華創下屬子公司北方華創微電子自主研發的國內首台12英寸原子層沉積 (AtomicLayerDeposition, ALD) 設備進駐上海整合電路研發中心.
11月30日, 北方華創下屬子公司北方華創微電子自主研發的12英寸立式氧化爐THEORISO302進入長江存儲生產線, 應用於3DNANDFlash製程;
北方華創接受逾20家機構投資者調研時表示, 整合電路製造產線的投入主要由擴產規模決定, 以12吋整合電路製造產線大致為月產1千片/1億美元為例, 其中70%是設備投資, 30%是基建投入. 根據數據統計, 設備投資中刻蝕機佔21%, CVD設備佔15%, 清洗設備佔8%, PVD佔5%, 熱處理設備佔3%.
北方華創稱, 目前已有多家整合電路製造廠商公布了擴產計劃, 如中芯國際已公布上海月產7萬片, 深圳月產4萬片, 天津月產10萬片等的擴產計劃, 長江存儲公布了總計30萬片的擴產計劃, 華力微電子也公布了月產4萬片的擴產計劃, 未來公司將根據客戶的實際建設進度, 積極爭取相關設備訂單.
作為國家02 重大科技專項承擔單位, 北方華創憑藉深厚的技術積累與開發填補了我國半導體設備領域的多項空白, 目前北方華創的12吋28nm製程的刻蝕機, PVD, 立式氧化爐, 清洗機, LPCVD等設備已處於產業化初期階段, 相關產品已交付客戶, 同時已有6款12吋14nm製程設備進入客戶端開展工藝研發, 其主要客戶為中芯國際, 武漢新芯, 三安光電, 華燦光電, 京東方, 樂葉光伏, 晶澳太陽能等.
4.華虹半導體推出12位SAR ADC IP助力超低功耗MCU平台
集微網消息, 全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司今日宣布, 基於其0.11微米超低漏電 (Ultra-Low-Leakage, ULL) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 工藝平台, 推出自主設計的超低功耗12位逐次逼近 (SAR)型模數轉換器 (ADC) (12-Bit SAR ADC) IP, 達到國際一流水平. 該款ADC IP目前已通過矽驗證, 其擁有高達2MSPS的採樣率, 並完美結合了多通道, 高精度, 低功耗等優異特性, 是高性能微控制器 (MCU) 產品的理想選擇, 亦可滿足包括物聯網 (IoT) 在內的各種多元化應用.
華虹半導體依託卓越的研發團隊和豐富的IP設計經驗, 瞄準成長中的MCU市場, 除了嵌入式存儲器IP之外, 已先後推出RTC, BGR, LDO, PORI, PORE, RC OSC, LCD驅動, ADC等系列類比IP. 其中, ADC IP是一款12位解析度的SAR ADC, 傳輸特性單調, 無失碼; IP面積僅為0.2mm2, 降低了晶片成本; 可在電源電壓1.8V到5.5V, 溫度-40℃到+125℃的寬廣範圍內穩定工作.
12-Bit SAR ADC IP擁有超低功耗: 電源電壓3.3V, 採樣率2MSPS時, 功耗僅為3.5mW; 電源電壓2.0V採樣率2MSPS時, 功耗1.8mW.
12-Bit SAR ADC IP擁有優秀的動態性能, 電源電壓3.3V採樣率2MSPS時, 訊號雜訊失真比SNDR為70dB; 電源電壓低至1.8V時, 採樣率仍能高達1.5MSPS, 訊號雜訊失真比SNDR為69dB.
12-Bit SAR ADC IP擁有十個外部輸入訊號通道 (其中八個能夠靈活地配置成差分工作模式或單端工作模式, 另外兩個用於測量外部參考電壓) 和一個內部輸入訊號通道 (用於測量電源電壓) ; 內置數字校準電路, 能校正內部比較器的失調和內部數模轉換器的線性誤差. 並且, 正負參考電壓與採樣周期長度皆可選擇, 配置.
華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示: '12-Bit SAR ADC IP的推出體現了公司自主創新的研發能力. 作為華虹半導體MCU系列解決方案的重要組成, 該ADC IP在0.11微米超低功耗ULL eFlash技術平台流片成功, 可以有效幫助客戶降低晶片功耗與成本, 簡化並加快系統設計, 為客戶在物聯網, 工業, 汽車電子等市場提升競爭力. '