貿澤電子備貨的這款GaN Systems GSP65RxxHB-EVB IMS評估平台包含一個GSP65MB-EVB 主板和兩個IMS 評估模組. 每個IMS評估模組均搭載了GS66516B增強模式高電子遷移率晶體管 (E-HEMT)——底部散熱的高功率GaN系統, 其工作電壓為650 V , 能配置為半橋模式, 並具有13m Ω 2-4kw和25m Ω 4-7kW兩種版本. 將主板與IMS評估模組搭配使用時可支援10種不同配置, 如果再增加一個主板, 則可以支援12種配置. 設計人員還可以將IMS評估模組作為高功率氮化鎵 (GaN) 智能功率模組(IPM) 與其現有電路板搭配使用, 進行系統內原型開發.
此系列評估模組阻抗低, 並具有優化的驅動板, 能夠同時降低功耗和柵極驅動迴路數. 典型應用包括板載充電器, 用於電動汽車與混合動力汽車的DC/DC轉換器和三相逆變器, 工業光伏逆變器和電機驅動, 以及用於伺服器/數據中心和住宅儲能系統的開關電源.
欲知更多有關GaN Systems IMS評估平台的資訊, 敬請訪問www.mouser.com/gan-ims-3rd-gen-eval-boards.