意法半導體(STMicroelectronics, ST)的PWD13F60系統封裝(SiP)產品在一個13mm x 11mm的封裝內整合了完整的600V/8A MOSFET全橋電路, 能夠為工業馬達驅控制器, 整流器, 電源, 功率轉換器和逆變器廠商節省物料成本和電路板空間.
相較於採用其他離散元件設計的全橋電路, 其可節省60%的電路板空間, PWD13F60還能提升最終應用功率的密度. 通常市面上銷售的全橋模組為雙FET半橋或六顆FET三相產品, 但PWD13F60則整合了四顆功率MOSFET, 是一個高效能的替代方案. 有別於其他產品, 僅需一個PWD13F60即可完成單相全橋設計, 這讓內部MOSFET元件不會被閑置. 新全橋模組可靈活地配置成一個全橋或兩個半橋.
透過意法半導體的高壓BCD6s-Offline製程, PWD13F60整合了功率MOSFET閘極驅動器和上橋臂驅動自舉二極體, 其設計的好處是簡化電路板設計, 精簡組裝過程, 而且節省外部元件的數量. 閘極驅動器經過優化和改進, 取得高切換的可靠性和低EMI(電磁幹擾). 該系統封裝還有交叉導通防護和欠壓鎖保護功能, 有助於進一步降低佔位元之面積, 同時確保系統安全.
PWD13F60的其他特性包括最低6.5V的寬工作電壓, 配置靈活性, 以及讓設計簡易性得到最大限度的提升. 此外, 新系統封裝輸入針腳還能接受 3.3V-15V邏輯訊號, 連接微控制器(MCU), 數位訊號處理器(DSP)或霍爾感測器將變得十分容易.