意法半导体(STMicroelectronics, ST)的PWD13F60系统封装(SiP)产品在一个13mm x 11mm的封装内整合了完整的600V/8A MOSFET全桥电路, 能够为工业马达驱控制器, 整流器, 电源, 功率转换器和逆变器厂商节省物料成本和电路板空间.
相较于采用其他离散元件设计的全桥电路, 其可节省60%的电路板空间, PWD13F60还能提升最终应用功率的密度. 通常市面上销售的全桥模组为双FET半桥或六颗FET三相产品, 但PWD13F60则整合了四颗功率MOSFET, 是一个高效能的替代方案. 有别于其他产品, 仅需一个PWD13F60即可完成单相全桥设计, 这让内部MOSFET元件不会被闲置. 新全桥模组可灵活地配置成一个全桥或两个半桥.
透过意法半导体的高压BCD6s-Offline制程, PWD13F60整合了功率MOSFET闸极驱动器和上桥臂驱动自举二极体, 其设计的好处是简化电路板设计, 精简组装过程, 而且节省外部元件的数量. 闸极驱动器经过优化和改进, 取得高切换的可靠性和低EMI(电磁干扰). 该系统封装还有交叉导通防护和欠压锁保护功能, 有助于进一步降低占位元之面积, 同时确保系统安全.
PWD13F60的其他特性包括最低6.5V的宽工作电压, 配置灵活性, 以及让设计简易性得到最大限度的提升. 此外, 新系统封装输入针脚还能接受 3.3V-15V逻辑讯号, 连接微控制器(MCU), 数位讯号处理器(DSP)或霍尔传感器将变得十分容易.