台積電擬向3nm半導體投資超200億美元

全球最大半導體代工企業台灣整合電路製造聯合首席執行官 (CEO) 劉德音12月7日表示, 將向電路線寬為3奈米 (奈米為10億分之1米) 的新一代半導體投資超過200億美元. 通過對尖端領域投入巨資, 領先於韓國三星電子等競爭對手.

台積電的半導體工廠

劉德音7日下午在台灣北部新竹發表演講時透露了上述消息. 目前美國蘋果新款iPhone等配備的10奈米線寬半導體屬於最尖端產品. 7奈米產品將於2018年啟動量產, 3奈米產品預計2022年量產. 目前已具體落實3奈米產品項目的企業只有台積電. 新工廠建在台南.

半導體大體上分為負責存儲的記憶體和負責運算的邏輯半導體. 台積電的產品以邏輯半導體為主, 目前多面向智能手機. 該公司認為, 2018年7奈米產品量產以後, 在面向人工智慧 (AI) 和數據中心方面的需求有望激增.

在半導體領域, 縮小電路線寬成為降低成本和提高性能的關鍵. 一方面, 電路線寬的縮小導致生產難度提高, 製造設備的價格正在暴漲. 荷蘭半導體設備廠商阿斯麥 (ASML) 開發的「極紫外光刻 (EUV光刻) 」設備每台售價超過1億歐元.

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