高通公布驍龍845更多細節:顯示性能提升30% | 省電30%

在昨天的高通驍龍技術峰會上, 高通宣布了新一代旗艦移動平台驍龍845, 並表示它在拍攝, AI, 性能, 安全等六大方面有大幅改進. 現在來到峰會第二天, 高通公布了更多關於驍龍845的細節.

高通表示, 驍龍845採用了全新的Kryo CPU架構(Kryo 385)以及整合了全新的GPU單元Adreno 630, 相比驍龍835, 驍龍845圖形處理速度提升30%, 能效提升30%, 進一步延長手機續航.

全新的Kryo 385基於三星第二代10nm工藝, 包括四顆性能內核, 主頻高達2.8GHz(相較於前代產品, 性能提升25%-30%), 四顆效率內核, 主頻為1.8Ghz(提升15%), 另外這次驍龍845還增加了2MB 共用L3緩存和3MB系統緩存.

在映像處理方面, 驍龍845整合了全新的影像訊號處理器 Spectra 280 ISP, 同時還整合了更強大的Hexagon DSP, 讓機器學習和AI應用的性能大幅提升.

全新的ISP支援拍攝HDR 4K@60fps視頻, 這是智能手機首次支援該功能. 其次還支援HDR 720P@480fps超級慢動作視頻拍攝, 支援主動深度感測, 更有深度的人像模式. 值得一提的是, 高通表示採用驍龍845的手機DxOMark拍攝得分可以達到100分以上.

安全性方面, 驍龍845整合了一個單獨的安全處理單元, 它可以獨立於主處理器執行任務驗證或者是密鑰驗證, 也就是說更難被黑客破解.

而在連接方面, 驍龍845整合了最新的X20 LTE基帶, 支援5x載波聚合, 下載速度峰值可達1.2Gbps, 相較於X16提升了20%. X20還支援雙LTE SIM模式, 雙卡雙待更加實用.

Wi-Fi性能也得到了強化, 不僅提升了初始連接設置速度, 而能效還提升了30%. 藍芽方面, 驍龍845支援同時向多個藍芽設備廣播, 高通表示這將對無線耳機的發展產生巨大的影響.

高通官方發布的更新說明如下:

Qualcomm Spectra 280 ISP

-支援Ultra HD Premium拍攝

-Qualcomm Spectra模組方案, 支援主動深度感測

-運動補償時域濾波(MCTF)視頻拍攝

-多幀降噪

-高達1600萬像素@60fps高性能拍攝

-720p @480fps慢動作視頻拍攝

-ImMotion計算攝影

Adreno 630視覺處理子系統

-與前代產品相比, 映像/視頻渲染提升30%, 功耗降低30%

-室內空間定位(room-scale)六自由度(6DoF)及即時定位與地圖構建(SLAM)

-Adreno 視覺聚焦, 包括分塊渲染(tile rendering), 眼球追蹤, 多視角渲染(multiView rendering), 細粒度終斷(fine grain preemption)

-2K x 2K @120Hz, 2.5倍顯示介面數據吞吐量提升

-增強的6DoF, 支援手勢追蹤和控制器

Qualcomm® Hexagon™ 685 DSP

-面向AI 和映像的第三代Hexagon Vector DSP(HVX)

-第三代Qualcomm All-Ways Aware™感測器中樞

-面向音頻的Hexagon標量DSP

驍龍 X20 LTE 數據機

-支援1.2 Gbps 千兆級LTE Category 18

-支援許可輔助接入(LAA)

-支援公民寬頻無線服務(CBRS)共用頻譜

-支援雙卡雙VoLTE(DSDV)

連接

-支援多千兆比特11ad Wi-Fi, 並可支援分集天線

-整合2x2 11ac Wi-Fi, 支援雙頻並發(DBS)

-11k/r/v: 增強運營級Wi-Fi的移動性能, 快速建立連接, 緩解擁堵

-專有增強的Bluetooth 5支援超低功耗無線耳塞, 並同時向多個終端進行音頻廣播

安全處理單元

-生物資訊識別(指紋, 虹膜, 語音, 人臉)

-用戶和應用數據保護

-整合方案, 如整合SIM卡, 支付及其他

Qualcomm Aqstic音頻

-Qualcomm Aqstic音頻編解碼器(WCD934x):

播放:

-動態範圍: 130dB, THD+N: -109dB

-支援原生 DSD(DSD64/DSD128), 脈衝編碼調製(PCM)高達384kHz/32bit

-低功耗語音激活: 0.65mA

錄音:

-動態範圍: 109dB, THD+N: -103dB

-取樣: 高達192kHz/24bit

Qualcomm® Quick Charge™ 4+

Kryo 385 CPU

-四顆性能內核, 主頻高達2.8GHz(相較於前代產品, 性能提升25%)

-四顆效率內核, 主頻高達1.8GHz

-2MB 共用L3緩存(新增)

-3MB系統緩存(新增)

10納米LPP FinFET製程工藝

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