高通公布骁龙845更多细节:显示性能提升30% | 省电30%

在昨天的高通骁龙技术峰会上, 高通宣布了新一代旗舰移动平台骁龙845, 并表示它在拍摄, AI, 性能, 安全等六大方面有大幅改进. 现在来到峰会第二天, 高通公布了更多关于骁龙845的细节.

高通表示, 骁龙845采用了全新的Kryo CPU架构(Kryo 385)以及整合了全新的GPU单元Adreno 630, 相比骁龙835, 骁龙845图形处理速度提升30%, 能效提升30%, 进一步延长手机续航.

全新的Kryo 385基于三星第二代10nm工艺, 包括四颗性能内核, 主频高达2.8GHz(相较于前代产品, 性能提升25%-30%), 四颗效率内核, 主频为1.8Ghz(提升15%), 另外这次骁龙845还增加了2MB 共享L3缓存和3MB系统缓存.

在图像处理方面, 骁龙845集成了全新的影像信号处理器 Spectra 280 ISP, 同时还集成了更强大的Hexagon DSP, 让机器学习和AI应用的性能大幅提升.

全新的ISP支持拍摄HDR 4K@60fps视频, 这是智能手机首次支持该功能. 其次还支持HDR 720P@480fps超级慢动作视频拍摄, 支持主动深度感测, 更有深度的人像模式. 值得一提的是, 高通表示采用骁龙845的手机DxOMark拍摄得分可以达到100分以上.

安全性方面, 骁龙845集成了一个单独的安全处理单元, 它可以独立于主处理器执行任务验证或者是密钥验证, 也就是说更难被黑客破解.

而在连接方面, 骁龙845集成了最新的X20 LTE基带, 支持5x载波聚合, 下载速度峰值可达1.2Gbps, 相较于X16提升了20%. X20还支持双LTE SIM模式, 双卡双待更加实用.

Wi-Fi性能也得到了强化, 不仅提升了初始连接设置速度, 而能效还提升了30%. 蓝牙方面, 骁龙845支持同时向多个蓝牙设备广播, 高通表示这将对无线耳机的发展产生巨大的影响.

高通官方发布的更新说明如下:

Qualcomm Spectra 280 ISP

-支持Ultra HD Premium拍摄

-Qualcomm Spectra模组方案, 支持主动深度感测

-运动补偿时域滤波(MCTF)视频拍摄

-多帧降噪

-高达1600万像素@60fps高性能拍摄

-720p @480fps慢动作视频拍摄

-ImMotion计算摄影

Adreno 630视觉处理子系统

-与前代产品相比, 图像/视频渲染提升30%, 功耗降低30%

-室内空间定位(room-scale)六自由度(6DoF)及即时定位与地图构建(SLAM)

-Adreno 视觉聚焦, 包括分块渲染(tile rendering), 眼球追踪, 多视角渲染(multiView rendering), 细粒度终断(fine grain preemption)

-2K x 2K @120Hz, 2.5倍显示接口数据吞吐量提升

-增强的6DoF, 支持手势追踪和控制器

Qualcomm® Hexagon™ 685 DSP

-面向AI 和图像的第三代Hexagon Vector DSP(HVX)

-第三代Qualcomm All-Ways Aware™传感器中枢

-面向音频的Hexagon标量DSP

骁龙 X20 LTE 调制解调器

-支持1.2 Gbps 千兆级LTE Category 18

-支持许可辅助接入(LAA)

-支持公民宽带无线服务(CBRS)共享频谱

-支持双卡双VoLTE(DSDV)

连接

-支持多千兆比特11ad Wi-Fi, 并可支持分集天线

-集成2x2 11ac Wi-Fi, 支持双频并发(DBS)

-11k/r/v: 增强运营级Wi-Fi的移动性能, 快速建立连接, 缓解拥堵

-专有增强的Bluetooth 5支持超低功耗无线耳塞, 并同时向多个终端进行音频广播

安全处理单元

-生物信息识别(指纹, 虹膜, 语音, 人脸)

-用户和应用数据保护

-集成方案, 如集成SIM卡, 支付及其他

Qualcomm Aqstic音频

-Qualcomm Aqstic音频编解码器(WCD934x):

播放:

-动态范围: 130dB, THD+N: -109dB

-支持原生 DSD(DSD64/DSD128), 脉冲编码调制(PCM)高达384kHz/32bit

-低功耗语音激活: 0.65mA

录音:

-动态范围: 109dB, THD+N: -103dB

-取样: 高达192kHz/24bit

Qualcomm® Quick Charge™ 4+

Kryo 385 CPU

-四颗性能内核, 主频高达2.8GHz(相较于前代产品, 性能提升25%)

-四颗效率内核, 主频高达1.8GHz

-2MB 共享L3缓存(新增)

-3MB系统缓存(新增)

10纳米LPP FinFET制程工艺

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