三星稱, 與第一代10nm工藝技術10LPE相比, 10LPP工藝技術可使性能提高10%, 功耗降低15%. 由於該工藝源於已經證實的10LPE技術, 因此可大幅縮短從開發到批量生產的周轉時間, 並提供更高的初始生產良率, 從而具有競爭優勢.
位於位於韓國華城的三星電子的S3生產線
採用10LPP工藝技術設計的SoC將用於計劃於明年年初推出的電子設備. 三星電子代工市場營銷副總裁Ryan Lee表示: '通過從10LPE向10LPP的過渡, 我們將能夠更好地為客戶提供服務, 同時提高性能, 提高初始產量. '
三星電子還宣布, 位於韓國華城的最新生產線S3正準備加速生產10納米及以下工藝技術. S3是三星代工業務的第三家晶圓廠, 其它兩家分別是位於韓國Giheung的S1和位於美國奧斯汀的S2. 三星的7nm FinFET工藝技術與EUV (Extreme Ultra Violet) 也將在S3大批量生產.
晶圓
三星稱, 與第一代10nm工藝技術10LPE (低功耗早期) 相比, 10LPP工藝技術可使性能提高10%, 功耗降低15%. 由於該工藝源於已經證實的10LPE技術, 因此可大幅縮短從開發到批量生產的周轉時間, 並提供更高的初始生產良率, 從而具有競爭優勢.
位於位於韓國華城的三星電子的S3生產線
採用10LPP工藝技術設計的SoC將用於計劃於明年年初推出的電子設備. 三星電子代工市場營銷副總裁Ryan Lee表示: '通過從10LPE向10LPP的過渡, 我們將能夠更好地為客戶提供服務, 同時提高性能, 提高初始產量. '
三星電子還宣布, 位於韓國華城的最新生產線S3正準備加速生產10納米及以下工藝技術. S3是三星代工業務的第三家晶圓廠, 其它兩家分別是位於韓國Giheung的S1和位於美國奧斯汀的S2. 三星的7nm FinFET工藝技術與EUV (Extreme Ultra Violet) 也將在S3大批量生產.
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