三星称, 与第一代10nm工艺技术10LPE相比, 10LPP工艺技术可使性能提高10%, 功耗降低15%. 由于该工艺源于已经证实的10LPE技术, 因此可大幅缩短从开发到批量生产的周转时间, 并提供更高的初始生产良率, 从而具有竞争优势.
位于位于韩国华城的三星电子的S3生产线
采用10LPP工艺技术设计的SoC将用于计划于明年年初推出的电子设备. 三星电子代工市场营销副总裁Ryan Lee表示: '通过从10LPE向10LPP的过渡, 我们将能够更好地为客户提供服务, 同时提高性能, 提高初始产量. '
三星电子还宣布, 位于韩国华城的最新生产线S3正准备加速生产10纳米及以下工艺技术. S3是三星代工业务的第三家晶圆厂, 其它两家分别是位于韩国Giheung的S1和位于美国奥斯汀的S2. 三星的7nm FinFET工艺技术与EUV (Extreme Ultra Violet) 也将在S3大批量生产.
晶圆
三星称, 与第一代10nm工艺技术10LPE (低功耗早期) 相比, 10LPP工艺技术可使性能提高10%, 功耗降低15%. 由于该工艺源于已经证实的10LPE技术, 因此可大幅缩短从开发到批量生产的周转时间, 并提供更高的初始生产良率, 从而具有竞争优势.
位于位于韩国华城的三星电子的S3生产线
采用10LPP工艺技术设计的SoC将用于计划于明年年初推出的电子设备. 三星电子代工市场营销副总裁Ryan Lee表示: '通过从10LPE向10LPP的过渡, 我们将能够更好地为客户提供服务, 同时提高性能, 提高初始产量. '
三星电子还宣布, 位于韩国华城的最新生产线S3正准备加速生产10纳米及以下工艺技术. S3是三星代工业务的第三家晶圆厂, 其它两家分别是位于韩国Giheung的S1和位于美国奥斯汀的S2. 三星的7nm FinFET工艺技术与EUV (Extreme Ultra Violet) 也将在S3大批量生产.
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