WD嵌入式與整合解決方案行動和運算產品線市場管理總監包繼紅
新推出的iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式快閃記憶體, 採用Western Digital 64層3D NAND技術以及UFS與e.MMC介面技術, 提供數據效能與儲存容量. 用於智能型手機與輕薄運算裝置時, 這兩款產品能加速實現以數據為中心的各式應用需求, 包括擴增實境 (AR), 高解析視訊的擷取, 豐富的社群媒體體驗, 以及近期崛起的人工智慧 (AI) 與物聯網 (IoT) 「邊際」(edge) 體驗.
WD嵌入式與整合解決方案行動和運算產品線市場管理總監包繼紅指出, 除了360度影片及多鏡頭相機, 行動應用程序也開始採用人工智慧技術提供更佳的體驗, 推動智能型手機數據為中心的本質至全新境界. WD的iNAND解決方案, 為現今密集的行動應用程序及體驗, 打造出最合適的數據環境, 並支援其蓬勃發展. 結合Western Digital的X3 3D NAND技術, 以及具備應用感知(application-aware)的SmartSLC技術的全面提升, 得以提供用戶更智能化的iNAND裝置.
iNAND 8521為旗艦行動裝置設計 展現5G網路效能
iNAND 8521嵌入式快閃記憶體專為對數據應用有強度需求的用戶設計, 採用UFS 2.1介面以及Western Digital最新的第五代SmartSLC技術, 與前一代針對旗艦智能型手機所推出的iNAND 7232嵌入式快閃記憶體相比, 連續寫入速度最高為其兩倍, 隨機寫入速度最高可達10倍. iNAND 8521嵌入式快閃記憶體的數據傳輸速度, 讓行動用戶能夠利用最新Wi-Fi速度, 並在電信服務供貨商提供5G網路時可以使用網路增強技術.
iNAND 7550專為主流智能型手機所設計
iNAND 7550嵌入式快閃記憶體讓行動裝置製造商生產符合成本效益的智能型手機與運算裝置, 提供充足的儲存空間, 滿足消費者持續增加的數據需求, 並同時提供快速的應用程序體驗. 其採用e. MMC 5.1規格, 連續寫入效能最高260 MB/s, 隨機讀寫效能則分別為20K IOPS和15K IOPS3, 讓iNAND 7550得以增強開機與應用程序開啟時間.