WD嵌入式与整合解决方案行动和运算产品线市场管理总监包继红
新推出的iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式闪存, 采用Western Digital 64层3D NAND技术以及UFS与e.MMC接口技术, 提供数据效能与储存容量. 用于智能型手机与轻薄运算装置时, 这两款产品能加速实现以数据为中心的各式应用需求, 包括扩增实境 (AR), 高解析视讯的撷取, 丰富的社群媒体体验, 以及近期崛起的人工智能 (AI) 与物联网 (IoT) 「边际」(edge) 体验.
WD嵌入式与整合解决方案行动和运算产品线市场管理总监包继红指出, 除了360度影片及多镜头相机, 行动应用程序也开始采用人工智能技术提供更佳的体验, 推动智能型手机数据为中心的本质至全新境界. WD的iNAND解决方案, 为现今密集的行动应用程序及体验, 打造出最合适的数据环境, 并支持其蓬勃发展. 结合Western Digital的X3 3D NAND技术, 以及具备应用感知(application-aware)的SmartSLC技术的全面提升, 得以提供用户更智能化的iNAND装置.
iNAND 8521为旗舰行动装置设计 展现5G网络效能
iNAND 8521嵌入式闪存专为对数据应用有强度需求的用户设计, 采用UFS 2.1接口以及Western Digital最新的第五代SmartSLC技术, 与前一代针对旗舰智能型手机所推出的iNAND 7232嵌入式闪存相比, 连续写入速度最高为其两倍, 随机写入速度最高可达10倍. iNAND 8521嵌入式闪存的数据传输速度, 让行动用户能够利用最新Wi-Fi速度, 并在电信服务供货商提供5G网络时可以使用网络增强技术.
iNAND 7550专为主流智能型手机所设计
iNAND 7550嵌入式闪存让行动装置制造商生产符合成本效益的智能型手机与运算装置, 提供充足的储存空间, 满足消费者持续增加的数据需求, 并同时提供快速的应用程序体验. 其采用e. MMC 5.1规格, 连续写入效能最高260 MB/s, 随机读写效能则分别为20K IOPS和15K IOPS3, 让iNAND 7550得以增强开机与应用程序开启时间.