不僅比採用分立器件設計的類似全橋電路節省電路板空間60%, PWD13F60還能提升最終應用的功率密度. 市場上在售的全橋模組通常是雙FET半橋或六顆FET三相產品, 而PWD13F60則整合四顆功率MOSFET, 是一個能效特別高的替代方案. 與這些產品不同, 只用一個PWD13F60即可完成一個單相全橋設計, 這讓內部MOSFET管沒有一個被閑置. 新全橋模組可靈活地配置成一個全橋或兩個半橋.
利用意法半導體的高壓 BCD6s-Offline製造工藝, PWD13F60整合了功率 MOSFET柵驅動器和上橋臂驅動自舉二極體, 這樣設計的好處是簡化電路板設計, 精簡組裝過程, 節省外部元器件. 柵驅動器經過優化改進, 取得了高開關可靠性和低EMI(電磁幹擾). 該系統封裝還有交叉導通防護和欠壓鎖保護功能, 有助於進一步降低佔位面積, 同時確保系統安全.
PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的寬工作電壓, 配置靈活性和設計簡易性得到最大限度提升. 此外, 新系統封裝輸入引腳還接受 3.3V-15V邏輯訊號, 連接微控制器(MCU), 數字處理器(DSP)或霍爾感測器十分容易.
PWD13F60即日上市, 採用高散熱效率的多基島VFQFPN封裝.