不仅比采用分立器件设计的类似全桥电路节省电路板空间60%, PWD13F60还能提升最终应用的功率密度. 市场上在售的全桥模块通常是双FET半桥或六颗FET三相产品, 而PWD13F60则集成四颗功率MOSFET, 是一个能效特别高的替代方案. 与这些产品不同, 只用一个PWD13F60即可完成一个单相全桥设计, 这让内部MOSFET管没有一个被闲置. 新全桥模块可灵活地配置成一个全桥或两个半桥.
利用意法半导体的高压 BCD6s-Offline制造工艺, PWD13F60集成了功率 MOSFET栅驱动器和上桥臂驱动自举二极管, 这样设计的好处是简化电路板设计, 精简组装过程, 节省外部元器件. 栅驱动器经过优化改进, 取得了高开关可靠性和低EMI(电磁干扰). 该系统封装还有交叉导通防护和欠压锁保护功能, 有助于进一步降低占位面积, 同时确保系统安全.
PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的宽工作电压, 配置灵活性和设计简易性得到最大限度提升. 此外, 新系统封装输入引脚还接受 3.3V-15V逻辑信号, 连接微控制器(MCU), 数字处理器(DSP)或霍尔传感器十分容易.
PWD13F60即日上市, 采用高散热效率的多基岛VFQFPN封装.