潘健成: 明年3D NAND進入96層 | 群聯準備好了

今年全球NAND Flash產業成功轉換至64/72層3D NAND規格, 隨著製程轉換完成, 全球缺貨問題也逐漸紓解, 群聯董事長潘健成指出, 2018年底將進入96層的3D NAND技術世代, 帶動單一晶片的容量提升至256Gb/512Gb, SSD控制晶片技術也全面提升至新層次, 群聯的關鍵技術已經準備好了, 呈現蓄勢待發的姿態! 今年的NAND Flash產業受到技術轉換不順, 數據中心對於儲存容量需求快速攀升之故, 導致產業供需失衡, 晶片價格一直高居不下, 但這樣的狀況停留太久後, 導致終端產品的需求被抑制, 並非健康的產業現象. 潘健成指出, NAND Flash產業的供需狀況在近兩季已經逐漸地趨於平衡, 可望帶動2018年上半的固態硬碟(SSD)主流規格容量進一步提升, 由於受困晶片價格高居不下, SSD主流規格一直停留在128GB, 預計未來可進一步地往上攀升. 業界也認為, 樂見NAND Flash供需舒緩之後, 讓昂貴的SSD價格恢複合理水位, 可以帶動買氣增溫, 一方面活絡市場, 另一方面為更高儲存容量的產品鋪路, 整個NAND Flash產業逐漸轉為正向迴圈, 刺激產業健康發展. 潘健成點出2018年3D NAND產業的另一個趨勢, 即是2018年底將進入96層的3D NAND技術世代, 隨著技術層次的提升, 也帶動單一晶片容量拉高至256Gb/512Gb, 同時, SSD控制晶片技術也必須全面備戰! 潘健成進一步分析, 群聯的SSD控制晶片的技術藍圖是亦步亦趨緊貼著NAND Flash技術製程的演化, 所有2018年相關的新產品現在都已經準備就緒, 包括有核心處理優化器, 糾錯能力技術升級版, 多通道高速架構, 以及減輕電流的低功耗設計等, 當然不可或缺的是更高容量的儲存技術規劃. 高容量的NAND Flash儲存技術, 對於電競筆記型電腦玩家是必備的需求. 在該市場領域上, 大陸是重點競賽區, 群聯在大陸市場與影馳科技(GALAXY Microsystems)形成策略聯盟, 影馳跨入電競賽事的經營時間已長達9年, 也感受到電競筆電玩家對於SSD高效需求的不斷提升, 而講到效能的議題, SSD控制晶片扮演關鍵角色! 群聯的PS3112/PS5012系列的高端SSD控制晶片產品線, 也選擇在電競賽事 '2017年第九屆影馳電競嘉年華' 中正式亮相. 2017年的 '第九屆影馳電競嘉年華' 是在武漢光穀盛大舉行, 吸引超過千名的玩家共聚, 直播賽事更是吸引大陸廣大網友玩家. 在該會中, 潘健成董事長談及NAND Flash產業的技術發展藍圖時分析, 群聯會有PS3112和PS5012系列的產品在下季正式亮相, 會是全球速度最快, 容量最大的消費性SSD控制單晶片, 特色包含符合SATA規格的PS3112-S12, 以及符合PCI-e G3x4規格的PS5012-E12, 這兩項新產品預計都會在2018年的第1季開始銷售, 配合3D NAND晶片, 最大容量可高達8TB, 完全是為電競玩家對於高容量存儲器而量身定製.

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