三星宣布全球首發量產512GB eUFS快閃記憶體

IT之家12月5日消息三星電子今天宣布, 已經開始批量生產業內首款512GB嵌入式通用快閃記憶體, 以用於下一代移動設備. 據介紹, 三星512GB eUFS採用了三個三星最新的64層512千兆 (Gb) V-NAND晶片和一個控制器晶片.

為了最大限度發揮512GB eUFS的性能和能源效率, 三星推出了一套新的獨家技術. 三星512GB eUFS控制器採用64層512Gb V-NAND先進的電路設計和新的電源管理技術, 將能源消耗降到最低. 另外, 512GB eUFS控制器晶片加速了將邏輯塊地址轉換為物理塊地址的映射過程.

三星512GB eUFS讀寫性能也非常強大. 512GB嵌入式存儲器的順序讀寫速度分別達到860MB/s和255MB/s, 能夠在6秒內將5GB的全高清視頻片段傳輸到SSD, 相比於普通的micro SD卡速度提高了8倍.

對於隨機操作, 三星512GB eUFS可以讀取42,000 IOPS並寫入40,000 IOPS. 基於eUFS的快速隨機寫入, 比傳統micro SD卡的100 IOPS速度快大約400倍, 移動用戶可以享受無縫的多媒體體驗, 如高解析度連拍, 以及雙重檔案搜索和視頻下載應用程序查看模式.

另外, 三星還計劃穩步增加其64層512Gb V-NAND晶片的產量, 並擴大256Gb V-NAND晶片的產量, 以滿足高級嵌入式移動存儲以及高密度, 高性能的高級固態硬碟和可移動存儲卡的需求.