三星宣布全球首发量产512GB eUFS闪存

IT之家12月5日消息三星电子今天宣布, 已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存, 以用于下一代移动设备. 据介绍, 三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆 (Gb) V-NAND芯片和一个控制器芯片.

为了最大限度发挥512GB eUFS的性能和能源效率, 三星推出了一套新的独家技术. 三星512GB eUFS控制器采用64层512Gb V-NAND先进的电路设计和新的电源管理技术, 将能源消耗降到最低. 另外, 512GB eUFS控制器芯片加速了将逻辑块地址转换为物理块地址的映射过程.

三星512GB eUFS读写性能也非常强大. 512GB嵌入式存储器的顺序读写速度分别达到860MB/s和255MB/s, 能够在6秒内将5GB的全高清视频片段传输到SSD, 相比于普通的micro SD卡速度提高了8倍.

对于随机操作, 三星512GB eUFS可以读取42,000 IOPS并写入40,000 IOPS. 基于eUFS的快速随机写入, 比传统micro SD卡的100 IOPS速度快大约400倍, 移动用户可以享受无缝的多媒体体验, 如高分辨率连拍, 以及双重文件搜索和视频下载应用程序查看模式.

另外, 三星还计划稳步增加其64层512Gb V-NAND芯片的产量, 并扩大256Gb V-NAND芯片的产量, 以满足高级嵌入式移动存储以及高密度, 高性能的高级固态硬盘和可移动存储卡的需求.