傳三星平澤廠將大擴產, NAND慘, DRAM也不妙?

摩根士丹利看淡NAND flash價格, 引爆記憶體的龐大賣壓. 部份分析師強調, DRAM價格仍穩, 記憶體業情況不會太糟. 然而, 韓國消息透露, 三星電子也許有意在南韓平澤(Pyeongtaek)廠大幅增產DRAM, 要是消息為真, 將再次重創記憶體業.

韓媒etnews 4日報導(見此), 三星平澤廠區的半導體一號廠, 共有兩層樓. 據稱二樓無塵室建造進入最後階段, 三星訂購首批3D NAND flash設備, 估計初期產能為每月1萬組.

半導體一號廠的一樓設有餐廳和辦公室等, 剩餘空間較少, 每月只能生產10萬組晶片. 二樓空間較多, 每月可生產20萬組晶片. 二樓分為東西兩翼, 東翼預定生產7萬組3D NAND flash和3萬組DRAM, 西翼預定生產10萬組DRAM, 三星不久後應會下單採購DRAM設備.

報導稱, 要是三星加快投資腳步, 並決定把二樓多用於生產DRAM, DRAM可能供過於求, 價格由漲轉跌. 業界人士說, 記憶體價格取決於三星投資速度; 不僅如此, 三星的西安廠可能也會投資增產(應為NAND flash), 料於2018年底或2019年啟動.

此一消息也許不利美光. 大摩分析師之前表示, 儘管NAND flash價格走低, DRAM仍是亮點, 將支撐美光股價. 巴倫(Barronˋs)1日報導, 大摩分析師Joseph Moore報告稱, NAND在美光營運比重占不到1/3, 大摩堅守NAND價格將跌的看法, 但是由於DRAM價格持穩, 美光仍有可觀的盈餘成長空間, 近來拉回是進場機會.