韩媒etnews 4日报导(见此), 三星平泽厂区的半导体一号厂, 共有两层楼. 据称二楼无尘室建造进入最后阶段, 三星订购首批3D NAND flash设备, 估计初期产能为每月1万组.
半导体一号厂的一楼设有餐厅和办公室等, 剩余空间较少, 每月只能生产10万组芯片. 二楼空间较多, 每月可生产20万组芯片. 二楼分为东西两翼, 东翼预定生产7万组3D NAND flash和3万组DRAM, 西翼预定生产10万组DRAM, 三星不久后应会下单采购DRAM设备.
报导称, 要是三星加快投资脚步, 并决定把二楼多用于生产DRAM, DRAM可能供过于求, 价格由涨转跌. 业界人士说, 内存价格取决于三星投资速度; 不仅如此, 三星的西安厂可能也会投资增产(应为NAND flash), 料于2018年底或2019年启动.
此一消息也许不利美光. 大摩分析师之前表示, 尽管NAND flash价格走低, DRAM仍是亮点, 将支撑美光股价. 巴伦(Barronˋs)1日报导, 大摩分析师Joseph Moore报告称, NAND在美光营运比重占不到1/3, 大摩坚守NAND价格将跌的看法, 但是由于DRAM价格持稳, 美光仍有可观的盈余成长空间, 近来拉回是进场机会.