Android Authority報導, 製程不斷微縮, 傳統微影技術來到極限, 無法解決更精密的曝光顯像需求, 必須改用波長更短的EUV, 才能準確刻蝕電路圖. 5nm以下製程, EUV是必備工具. 三星明年生產7nm時, 就會率先採用EUV, 這有如讓三星在6nm以下的競賽搶先起跑, 可望加快發展速度.
相較之下, 台積電和格羅方德的第一代7nm製程, 仍會使用傳統的浸潤式微影技術, 第二代才會使用EUV.
製程微縮除了需擁抱EUV, 也需開發FinFET技術接班人. 晶體管運作是靠閘極(gate)控制電流是否能夠通過, 不過晶片越做越小, 電流通道寬度不斷變窄, 難以控制電流方向, 未來FinFET恐怕不敷使用, 不少人認為「閘極全環場效晶體管」( Gate-all-around FET, GAAFET)是最佳解決方案.
今年稍早, 三星, 格芯和IBM攜手, 發布全球首見的5nm晶圓技術, 採用EUV和GAAFET技術. 三星路徑圖也估計, FinFET難以在5nm之後使用, 4nm將採用GAAFET. 儘管晶圓代工研發不易, 容易遇上挫折延誤, 不過目前看來三星進度最快. 該公司的展望顯示, 計劃最快在2020年生產4nm, 進度超乎同業, 也許有望勝出.