Android Authority报导, 制程不断微缩, 传统微影技术来到极限, 无法解决更精密的曝光显像需求, 必须改用波长更短的EUV, 才能准确刻蚀电路图. 5nm以下制程, EUV是必备工具. 三星明年生产7nm时, 就会率先采用EUV, 这有如让三星在6nm以下的竞赛抢先起跑, 可望加快发展速度.
相较之下, 台积电和格罗方德的第一代7nm制程, 仍会使用传统的浸润式微影技术, 第二代才会使用EUV.
制程微缩除了需拥抱EUV, 也需开发FinFET技术接班人. 晶体管运作是靠闸极(gate)控制电流是否能够通过, 不过芯片越做越小, 电流信道宽度不断变窄, 难以控制电流方向, 未来FinFET恐怕不敷使用, 不少人认为「闸极全环场效晶体管」( Gate-all-around FET, GAAFET)是最佳解决方案.
今年稍早, 三星, 格芯和IBM携手, 发布全球首见的5nm晶圆技术, 采用EUV和GAAFET技术. 三星路径图也估计, FinFET难以在5nm之后使用, 4nm将采用GAAFET. 尽管晶圆代工研发不易, 容易遇上挫折延误, 不过目前看来三星进度最快. 该公司的展望显示, 计划最快在2020年生产4nm, 进度超乎同业, 也许有望胜出.