集微網消息, 據拓墣產業研究院最新報告指出, 受到高運算量終端裝置以及數據中心需求的帶動, 2017年全球晶圓代工總產值約573億美元, 較2016年成長7.1%, 全球晶圓代工產值連續五年年成長率高於5%. 其中, 中芯國際以30.99億美元營收, 年增6.3%位列純晶圓代工廠商第四位 (三星為IDM廠商) .
觀察2017年全球前十大晶圓代工廠商排名, 整體排名與2016年相同, 台積電, 格羅方德(GLOBALFOUNDRIES), 聯電分居前三, 其中台積電產能規模龐大加上高於全球平均水平的年成長率, 市佔率達55.9%, 持續拉大與競爭者的距離; 全球排名第二的格羅方德受惠於新產能的開出與產能利用率提升, 2017年營收呈現年增8.2%的相對高成長表現. 聯電今年量產14nm, 但僅佔全年營收的約1%, 然在整體產能提升與產品組合轉換帶動下, 實際營收年成長率達6.8%, 位列晶圓代工市場第三位; 而與台積電同為10nm製程技術先驅的三星(Samsung), 則因採用的大客戶僅有高通(Qualcomm), 致使成長受限, 排名第四; 排名第五的中芯雖然持續擴大資本支出, 然而, 受限於2017年實際開出的產能有限與28nm良率的瓶頸未突破, 使得成長率低於全球市場平均.
TowerJazz及華虹宏力則透過產能擴增, 在市場對8吋廠需求持續暢旺下, 帶來大於10%的年成長; 力晶則因調升代工業務比重, 交出高成長率成績單.
從應用領域來看, 拓墣產業研究院指出, 高運算量相關應用持續帶動半導體產業對先進位程的需求, 2017年10nm製程節點開始放量, 估計2017年全年10nm節點營收將佔晶圓代工整體市場的6.5%. 而2017年半導體整體產值年成長率7.1%當中, 超過95%的成長動能來自10nm的銷售貢獻, 顯示10nm製程的開出成為2017年晶圓代工產值成長最重要的引擎.
另一方面, 在5G與電動車的需求驅使下, 可觀察到晶圓代工廠商積極投入第三代半導體材料GaN及SiC的開發, 如台積電提供GaN的代工服務及X-Fab公布SiC晶圓代工業務將於2017第四季貢獻營收.
展望2018年, 拓墣產業研究院認為, 除7nm先進位程節點將帶動整體產值之外, 在2018年為5G試營運重要的觀察年下, 第三代半導體的代工服務所帶來的產業生態鏈變化, 同為市場值得關注的重點.