集微网消息, 据拓墣产业研究院最新报告指出, 受到高运算量终端装置以及数据中心需求的带动, 2017年全球晶圆代工总产值约573亿美元, 较2016年成长7.1%, 全球晶圆代工产值连续五年年成长率高于5%. 其中, 中芯国际以30.99亿美元营收, 年增6.3%位列纯晶圆代工厂商第四位 (三星为IDM厂商) .
观察2017年全球前十大晶圆代工厂商排名, 整体排名与2016年相同, 台积电, 格罗方德(GLOBALFOUNDRIES), 联电分居前三, 其中台积电产能规模庞大加上高于全球平均水平的年成长率, 市占率达55.9%, 持续拉大与竞争者的距离; 全球排名第二的格罗方德受惠于新产能的开出与产能利用率提升, 2017年营收呈现年增8.2%的相对高成长表现. 联电今年量产14nm, 但仅占全年营收的约1%, 然在整体产能提升与产品组合转换带动下, 实际营收年成长率达6.8%, 位列晶圆代工市场第三位; 而与台积电同为10nm制程技术先驱的三星(Samsung), 则因采用的大客户仅有高通(Qualcomm), 致使成长受限, 排名第四; 排名第五的中芯虽然持续扩大资本支出, 然而, 受限于2017年实际开出的产能有限与28nm良率的瓶颈未突破, 使得成长率低于全球市场平均.
TowerJazz及华虹宏力则透过产能扩增, 在市场对8吋厂需求持续畅旺下, 带来大于10%的年成长; 力晶则因调升代工业务比重, 交出高成长率成绩单.
从应用领域来看, 拓墣产业研究院指出, 高运算量相关应用持续带动半导体产业对先进制程的需求, 2017年10nm制程节点开始放量, 估计2017年全年10nm节点营收将占晶圆代工整体市场的6.5%. 而2017年半导体整体产值年成长率7.1%当中, 超过95%的成长动能来自10nm的销售贡献, 显示10nm制程的开出成为2017年晶圆代工产值成长最重要的引擎.
另一方面, 在5G与电动车的需求驱使下, 可观察到晶圆代工厂商积极投入第三代半导体材料GaN及SiC的开发, 如台积电提供GaN的代工服务及X-Fab公布SiC晶圆代工业务将于2017第四季贡献营收.
展望2018年, 拓墣产业研究院认为, 除7nm先进制程节点将带动整体产值之外, 在2018年为5G试营运重要的观察年下, 第三代半导体的代工服务所带来的产业生态链变化, 同为市场值得关注的重点.