三星表示, 針對低功耗產品所研發的10LPP技術, 相較於第1代的10LPE, 10LPP的製程可使性能提高10%, 功耗降低15%. 而且, 由於該製程是延續於已經量產中的10LPE製程, 所以將可以大幅縮短從開發到大量生產的準備時間, 並提供更高的初期生產良率, 因此更具有市場競爭優勢.
三星進一步表示, 採用10LPP製程技術製造的產品, 預計將於2018年首季推出相關的電子產品. 三星電子代工市場行銷副總裁RyanLee表示, 通過從10LPE製程向10LPP製程的邁進, 三星將能夠更好地為客戶提供服務, 同時提高性能, 提高初期產量.
同事, 三星宣布, 位於韓國華城的最新S3生產線, 目前正準備加速生產10納米及其以下製程技術. S3是三星晶圓代工業務的第3座晶圓廠, 其它2座分別是位於韓國京畿道的器興 (Giheung) 的S1, 以及位於美國奧斯汀的S2. 根據規劃, 三星的7納米FinFET製程技術與EUV (ExtremeUltraViolet) 技術也預計將在S3晶圓廠中於2018年開始大量生產.