三星宣布量产第二代10LPP制程, 性能增10%功耗降15%

集微网消息, 据三星电子于11月29日宣布, 开始大规模量产以第2代10nm FinFET制程技术 (10LPP) 为基础的单芯片系统 (SoC) 产品, 其搭配该单芯片系统的电子产品, 也预计将在2018年首季问市.

三星表示, 针对低功耗产品所研发的10LPP技术, 相较于第1代的10LPE, 10LPP的制程可使性能提高10%, 功耗降低15%. 而且, 由于该制程是延续于已经量产中的10LPE制程, 所以将可以大幅缩短从开发到大量生产的准备时间, 并提供更高的初期生产良率, 因此更具有市场竞争优势.

三星进一步表示, 采用10LPP制程技术制造的产品, 预计将于2018年首季推出相关的电子产品. 三星电子代工市场行销副总裁RyanLee表示, 通过从10LPE制程向10LPP制程的迈进, 三星将能够更好地为客户提供服务, 同时提高性能, 提高初期产量.

同事, 三星宣布, 位于韩国华城的最新S3生产线, 目前正准备加速生产10纳米及其以下制程技术. S3是三星晶圆代工业务的第3座晶圆厂, 其它2座分别是位于韩国京畿道的器兴 (Giheung) 的S1, 以及位于美国奥斯汀的S2. 根据规划, 三星的7纳米FinFET制程技术与EUV (ExtremeUltraViolet) 技术也预计将在S3晶圆厂中于2018年开始大量生产.

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