Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

集微網消息, 日前, Vishay Intertechnology, Inc.宣布, 推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP, 這顆器件在10V的最大導通電阻為業內最低, 僅有0.58mΩ. Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷, 導通電阻還不到0.6mΩ, 使柵極電荷與導通電阻乘積優值係數(FOM)也達到最低, 可使各種應用提高效率和功率密度.

今天發布的MOSFET採用6mm x 5mm PowerPAK®SO-8封裝, 是目前最大導通電阻小於0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一. 與同類器件相比, SiRA20DP的典型柵極電荷更低, 只有61nC, FOM為0.035Ω*nC, 低32%. 其他25V N溝道MOSFET的導通電阻則要高11%甚至更多.

SiRA20DP的低導通電阻可減小傳導功率損耗, 提高系統效率, 實現更高的功率密度, 特別適合冗餘電源架構中的OR-ring功能. 器件的FOM較低, 可提高開關性能, 如通信和伺服器電源中DC/DC轉換, 電池系統中的電池切換, 以及5V到12V輸入電源的負載切換.

這顆MOSFET經過了100%的RG和UIS測試, 符合RoHS, 無鹵素.

SiRA20DP現可提供樣品, 並已實現量產, 大宗訂貨的供貨周期為十五周.