Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

集微网消息, 日前, Vishay Intertechnology, Inc.宣布, 推出新的25V N沟道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP, 这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低, 仅有0.58mΩ. Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷, 导通电阻还不到0.6mΩ, 使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低, 可使各种应用提高效率和功率密度.

今天发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK®SO-8封装, 是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一. 与同类器件相比, SiRA20DP的典型栅极电荷更低, 只有61nC, FOM为0.035Ω*nC, 低32%. 其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多.

SiRA20DP的低导通电阻可减小传导功率损耗, 提高系统效率, 实现更高的功率密度, 特别适合冗余电源架构中的OR-ring功能. 器件的FOM较低, 可提高开关性能, 如通信和服务器电源中DC/DC转换, 电池系统中的电池切换, 以及5V到12V输入电源的负载切换.

这颗MOSFET经过了100%的RG和UIS测试, 符合RoHS, 无卤素.

SiRA20DP现可提供样品, 并已实现量产, 大宗订货的供货周期为十五周.