【傳聞】三星搶得海思7nm訂單, 新廠12月動工

1傳三星搶得海思7nm訂單, 新廠12月動工; 2.全球首個端到端5G NR系統互通亮相中國移動全球合作夥伴大會; 3.半導體所開發出可穿戴氣體感測器與即時顯示系統; 4.深圳基本半導體參與制定第三代半導體技術路線圖

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1傳三星搶得海思7nm訂單, 新廠12月動工;

集微網消息, 高通重回台積電懷抱, 三星電子全力出擊爭奪新客戶. 近日傳出三星即將和兩家廠商簽訂7納米的晶圓代工訂單. 不只如此, 三星還打算儘快量產6納米製程, 奪取台積電市佔.

韓媒etnews消息, 業界消息指出, 三星電子正與兩家大型半導體廠商商討7納米的晶圓代工訂單, 一家是美國廠商, 另一家是中國廠商. 美國廠商同意請三星試產, 並已開始相關準備. 中國廠商是移動裝置的系統單晶片 (SoC) 開發商, 考慮改請三星代工7納米製程.

此前, 集微網曾報道海思在7納米製程第二供應商的選擇上, 傳出三星, 格芯, 英特爾紛全力爭取, 現在看來是三星更佔優勢. 據悉, 三星有意以OLED面板, DRAM和NAND Flash存儲器等零組件資源作為誘因, 希望海思能到三星投片7納米製程. 儘管兩家在智能手機市場是競爭對手, 但零組件的搭售策略不失為一大誘因.

然而, 在7納米的量產時間上, 三星略晚於台積電. 不過台積使用傳統的浸潤式步進機 (stepper) 生產7納米, 三星採用極紫外光 (EUV) 的微影製程生產, 三星預計, 爭取到兩家新客戶之後, 加上三星自家的Exynos處理器訂單, 三星的7納米和11號產線每月將生產4萬至5萬組晶片.

同時, 三星打算儘快量產6納米製程, 奪回跳槽台積電的老客戶. 三星為此做好準備, 向半導體設備生產商艾司摩爾 (ASML) 寄發意向書, 準備購買9部EUV設備. 一部已運入韓國華城廠, 另一部今年底安裝, 其他將陸續引進.

先前傳出三星位於華城的晶圓代工廠踢鐵板, 華城市政府拒發執照. 如今三星低頭, 同意華城市府要求, 有望在12月初取得執照.

IC Insights最新發布2017全球半導體廠商營收排行, 統計指出, 三星今年營收預估可達656億美元, 市場份額達到15%, 將會擠掉英特爾, 成為全球最大半導體廠. 這將是英特爾自一九九三年起穩居半導體業龍頭24年來, 首度交出冠軍寶座. 三星 2017 年的資本支出達到 260 億美元, 創造史無前例的紀錄, 其中在晶圓代工的部分, 將花費 50 億美元用於提升 10 納米製程的製造能力.

在人才方面, 三星拚命從各大公司挖角人才, 快速縮小和聯電, 台積電的差距. 業界人士透露, 前格芯 (GlobalFoundries) 主管 Kye Jong-wook, 上個月跳槽至三星, 將在晶圓代工部門擔任研發辦公室的設計實現 (design enablement) 團隊主管.

2.全球首個端到端5G NR系統互通亮相中國移動全球合作夥伴大會;

—中國移動, 中興通訊及Qualcomm合作實現5G新空口技術發展重要裡程碑—

集微網消息, 11月24日, 中國移動, 中興通訊和Qualcomm在廣州舉行的中國移動全球合作夥伴大會上舉行了端到端5G新空口 (5G NR) 系統互通發布儀式, 首次公開演示完全符合3GPP標準的端到端5G新空口系統互通, 端到端5G新空口系統採用中興通訊5G新空口預商用基站和Qualcomm的5G新空口終端原型機, 採用3.5GHz頻段. 中國移動研究院院長張同須, 中國移動研究院副院長黃宇紅, 中興通訊副總裁及TDD&5G產品總經理柏燕民, 以及Qualcomm中國區董事長孟樸等嘉賓出席發布儀式, 並共同開啟系統互通的現場演示. 這是5G新空口技術向大規模預商用邁進的重要行業裡程碑, 並將推動符合3GPP標準的5G網路和終端產業快速發展.

從左至右: 中興通訊TDD&5G產品副總經理柏鋼, Qualcomm Technologies高級副總裁兼QCT中國區總裁武商傑, 中興通訊副總裁及TDD&5G產品總經理柏燕民, 中國移動研究院院長張同須, Qualcomm中國區董事長孟樸, 中國移動研究院副院長黃宇紅, Qualcomm Technologies業務發展副總裁王瑞安

中國移動研究院院長張同須表示: '此次中國移動, 中興, Qualcomm 系統互通的成功發布, 標誌著5G產業的發展進入到全新階段. 中國移動將繼續聯合各方合作夥伴, 推動 5G產業鏈整體進一步發展和成熟, 為實現2020年5G的商用做出努力. '

中興通訊副總裁及TDD&5G產品總經理柏燕民表示: '中興通訊非常榮幸與中國移動和Qualcomm完成此次系統互通演示. 產業間各方合作是實現5G商用的重要舉措, 中興通訊將一如既往地推動5G研發進程中各階段的測試和驗證, 促進5G在全球各地區的商用實現. '

Qualcomm中國區董事長孟樸表示: '此次由運營商, 系統廠商和晶片廠商三方共同完成全球首個端到端5G新空口系統互通, 是5G發展的一次重要裡程碑事件, 我們感到非常振奮. 未來, Qualcomm將繼續聯合中國運營商, 系統廠商和終端廠商, 以及更廣泛的垂直行業合作者, 把更加充足的資源投入到5G研發的下一階段工作中, 全力支援中國的5G產業發展. '

目前, Qualcomm正攜手中國產業界積極推進5G快速發展. 作為中國移動5G聯合創新中心首批合作夥伴, Qualcomm在2016年即聯合中國移動展示5G 新空口原型系統, 以求共同推動5G全球統一標準, 共同支援3GPP 5G標準化工作. Qualcomm早在多年前就開始對5G進行前瞻性研發, 並致力於推動5G新空口全球標準的制定, 為3GPP標準化活動做出重要貢獻.

Qualcomm推出的其首款5G智能手機參考設計

在產品方面, Qualcomm已經推出首個5G數據機——驍龍X50 5G數據機系列, 可通過單一晶片支援2G/3G/4G/5G多模, 支援全球5G新空口標準和千兆級LTE. 2017年10月, Qualcomm 成功基於驍龍X50 5G數據機實現全球首個正式發布的5G數據連接, 實現了千兆級速率以及在28GHz毫米波頻段上的數據連接. 去年, Qualcomm是首家發布5G數據機晶片集的公司, 在十二個月內實現從產品發布到功能性晶片的能力, 充分表明Qualcomm在曆代蜂窩技術方面的領先優勢目前正延伸至5G. 此外, Qualcomm也已經推出其首款5G智能手機參考設計, 旨在於手機的功耗和尺寸要求下, 對5G技術進行測試和優化.

3.半導體所開發出可穿戴氣體感測器與即時顯示系統;

中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室沈國震課題組近日開發了一種新型的由微電容陣列驅動的可穿戴氣體感測器與即時顯示系統. 相關研究成果已發表於《納米能源》.

平面微型電容器是柔性可穿戴電子設備的最佳的供能器件. 但是單個的電容器電壓窗口較小, 能量密度較低, 很難連續不間斷地為可穿戴器件供能. 解決這個問題最便捷的方式是將多個微型電容器串聯形成陣列為可穿戴整合系統的功能單元供電. 到目前為止, 已經有許多不同類型的電容器陣列驅動的整合探測系統相繼被開發出來, 但是與光探測, 壓力感測器相比, 氣體感測器對目標氣體的響應時間長, 相應的能耗更大, 對能源器件的要求更高, 加大了整合的難度. 因此, 對自驅動氣體感測器這一整合系統的研究具有重要的意義.

該整合系統由基於電沉積聚吡咯電極材料的圓形電容器陣列, 基於碳納米管/聚苯胺材料的常溫乙醇氣體感測器和原位氣體分析與顯示系統組成. 所組裝的電容器的面積比電容為47.42mF/cm2, 氣體感測器在常溫下對乙醇氣體的響應回複時間分別為13s和4.5s. 當有氣體進入感測器中時, 氣體感測器兩邊的電流會發生變化, 電路板中元件會採集這個變化並進行計算, 與預先存儲的標準曲線進行比較從而得出氣體的濃度值, 再經藍芽把訊號傳輸到手機, 隨即手機APP上會顯示出對應的氣體濃度並繪製出即時的I-t曲線, 在個性化酒駕測試等領域都具有廣泛的應用前景. 科學網

4.深圳基本半導體參與制定第三代半導體技術路線圖

日前, 第三代半導體技術路線圖工作組第6次研討會在香港應科院召開, 深圳基本半導體有限公司作為工作組成員單位出席活動, 參與制定技術路線圖並展開討論.

為產業發展建言獻策是企業義不容辭的責任和義務, 作為碳化矽功率器件的創新型企業, 基本半導體將充分利用自身優勢積极參与相關工作. 公司從海外引進國際一流的研發團隊, 核心成員擁有幾十年半導體材料及器件工藝的研發經驗, 掌握了國際領先的碳化矽核心技術, 對第三代半導體技術發展有著極大熱情和深刻見解. 此次參與的國際技術路線圖制定, 對中國第三代半導體產業將產生深遠影響, 對產業鏈上下遊企業發展同樣具有指導意義.

工作組自2017年3月成立, 目前已經完成了初版的技術路線圖, 來自政府, 公司和產業界的專家40多人蔘加了會議, 總結工作組的階段性成果並布置下一階段的任務. 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲理事長表示, 當前大家合力制定第三代半導體技術路線圖, 正好趕上了產業發展的難得機遇, 不但市場有巨大的需求, 國家也在制訂相關政策支援產業的發展.

第三代半導體是下一代綠色新型材料之一, 擁有巨大的應用市場, 以碳化矽器件為例, 其市場容量正以每年25~39%的速度增長, 預計到2020年整個碳化矽器件的市場容量將超過10億美元. 中國在第一代, 第二代半導體領域嚴重落後國外先進水平, 每年進口2000億美元的電子器件, 難以實現突破趕超. 但是在第三代半導體材料方面的研究工作一直緊跟世界前沿, 只要抓緊時機, 加大晶片器件方面的開發力度, 我國將有望集中優勢力量一舉實現新一代碳化矽功率晶片的彎道超車和佔位領跑.

基本半導體積極響應國家扶持新興產業發展的號召, 整合海外領先技術和國內產業資源, 致力於碳化矽功率器件的研發與產業化, 產品未來將廣泛應用於電動汽車, 光伏, PFC, 電機驅動, 光伏, 電動汽車等領域, 為我國第三代半導體產業的快速發展推波助瀾.

福建法治報

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