三星, SK海力士領先美光, 英特爾 | 強佔美半導體專利數榜首

韓國科技業者在美國半導體專利數統計名列前茅, 2011~2015年SK海力士以2,594件, 三星電子(Samsung Electronics)以2,566件分居前兩名, 合計比例達8.8%, 技壓美國當地業者. 據韓媒ET News報導, 韓國專利廳(KIPO)的統計結果顯示, 2011~2015年在美國申請的存儲器設計, 製造, 封裝技術專利總計有5.8838萬件, 其中有5,160件(約8.8%)為SK海力士及三星電子所申請. 其次依序是Toshiba 2,289件, 美光(Micron)2,120件, IBM 1,977件, 威騰(Western Digital)1,289件, 英特爾(Intel)1,008件. 2011年這7家業者在美國申請的存儲器專利件數為417件, 之後每年穩定成長, 2015年達到4,151件. 固態硬碟(SSD)能逐步取代一般硬碟(HDD), 業者集中NAND Flash領域申請專利有很大貢獻. 韓國專利廳表示, 韓國業者搶先申請堆疊結構的3D DRAM與3D NAND Flash專利, 因此帶動全球存儲器市場變化. 相同期間韓國的專利申請情況以三星電子4,388件領先, 其次是SK海力士3,739件, 英特爾以759件排名第三, 台積電以572件排名第四. 之後分別是美光357件, 威騰150件, Toshiba 140件. 韓國專利廳電子零組件審查組表示, 硬體是工業4.0的核心要素, 存儲器需求成長讓韓國存儲器業者的市場地位更顯重要.

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