韩国科技业者在美国半导体专利数统计名列前茅, 2011~2015年SK海力士以2,594件, 三星电子(Samsung Electronics)以2,566件分居前两名, 合计比例达8.8%, 技压美国当地业者. 据韩媒ET News报导, 韩国专利厅(KIPO)的统计结果显示, 2011~2015年在美国申请的存储器设计, 制造, 封装技术专利总计有5.8838万件, 其中有5,160件(约8.8%)为SK海力士及三星电子所申请. 其次依序是Toshiba 2,289件, 美光(Micron)2,120件, IBM 1,977件, 威腾(Western Digital)1,289件, 英特尔(Intel)1,008件. 2011年这7家业者在美国申请的存储器专利件数为417件, 之后每年稳定成长, 2015年达到4,151件. 固态硬碟(SSD)能逐步取代一般硬碟(HDD), 业者集中NAND Flash领域申请专利有很大贡献. 韩国专利厅表示, 韩国业者抢先申请堆叠结构的3D DRAM与3D NAND Flash专利, 因此带动全球存储器市场变化. 相同期间韩国的专利申请情况以三星电子4,388件领先, 其次是SK海力士3,739件, 英特尔以759件排名第三, 台积电以572件排名第四. 之后分别是美光357件, 威腾150件, Toshiba 140件. 韩国专利厅电子零组件审查组表示, 硬件是工业4.0的核心要素, 存储器需求成长让韩国存储器业者的市场地位更显重要.
